mos管的频率（MOS管的频率作用）

发布时间：2023-09-09

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IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

KHZ。逆变器在高频时开关管发热太大，对管子不好，前级驱动频率调到40KHZ合适。逆变器频率调好是不能随意改变的，要想改打开机器，需要找出振荡集成管周围的变频可变电阻，进行调整。

-50HZ。因为超过30-50HZ，功率开关管的工作会异常，包括发热严重，放大倍数太小等。

晶振类型很多，根据不同性能可以分为有源晶振和无源晶振、有源晶振分温补晶振、压控晶体振荡器、压控温补晶体振荡器。无源晶振分两种材质石英晶振和陶瓷晶振。

常见的晶振型号包括AT、HC、XT、OC等，它们分别对应不同的封装形式和应用领域。

康柏电子根据晶振的不同使用要求及特点，晶振的分类方式有很多：按制作材料——可分为石英晶振和陶瓷晶振。按外形——可分为长方形晶振，圆形晶振，椭圆形晶振。

晶振在应用具体起到什么作用微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。

负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

开关电源的输出电压与电源电压、开关管导通的占空比及变压器的变比有关，与工作频率无关。

不会。占空比不变，频率降低，对于PWM波来说，输出的有效值并没有降低。

mos管的频率（MOS管的频率作用）

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