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磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系：当半导体材料确定时，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。
磁敏电阻器的阻值随磁场的变化而变化，利用磁敏电阻器阻值的变化，可精确地测试出磁场的相对位移。电阻值随磁感应强度而变化的磁敏元件。它利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。
工作原理：是利用载流子在磁场运动会受到洛伦磁力作用的原理制成的。
磁敏电阻的原理 在外加磁场作用下，某些载流子受到的洛伦磁力比霍尔电场作用力大时，它的运动轨迹就偏向洛伦磁力的方向；这些载流子从一个电极流到另一个电极所通过的路径就要比无磁场时的路径长些，因此增加了电阻值。
电子因受到洛伦兹力的作用而在材料中产生漂移，进而改变了材料的电阻率。科尔比诺圆盘是由两个相互垂直的圆柱体组成，该构造可以将磁场施加到圆盘中心，使电子能够漂移的距离最大，从而最大限度地提高了磁敏电阻的灵敏度。
硬件补偿法和软件补偿法。通过在电路中添加温度传感器，通过传感器采集到的温度信号进行补偿。通过在微控制器中添加温度传感器，通过算法对采集到的数据进行补偿。
把两个温度系数相同的元件按磁极相反的放向串联起来（见下图），就能起温度补偿的作用，这种接法通常称为差动接法。
热电偶补偿法：通过将热电偶与磁敏三极管同时装置在同一个环境中，可以通过测量热电偶的温度来实现对磁敏三极管的温度补偿。
当霍尔元件的激励电流不再为零时，若所处位置的磁感应强度为零。则霍尔电势仍应为零，但实际中若不为零，则此时空载的霍尔电势称为零位误差。
目前冰箱温度补偿主要有两种方式：1，靠灯泡照明，在门开关串接二极管，打开温度补偿开关，灯泡通过二极管得电半亮，达到加温的目的。
温度补偿稳压二极管原理温度补偿稳压二极管是一种特殊的稳压二极管，它具有温度补偿功能，可以在温度变化时保持输出电压的稳定性。
利用新型的磁敏电阻(Hh4C1021z型)直接测定地磁场的磁倾角A和磁感应强度B及水平分量的大小，并求出其垂直分量5的大小，取得了较为精确的实验结果。
选择尺寸较小的磁敏电阻，主要是考虑到采用小尺寸的磁敏电阻可以降低整个电路的体积，并且可以节省成本，另外，小尺寸的磁敏电阻也能够提高电路的效率，减少热量损耗。
磁铁对导线电阻有影响。磁铁对电阻有感应作用，生电感。磁铁电阻作为接近开关使用的典型应用电路，是为了提高检测灵敏度的，在选用锑化铟磁敏电阻时，应选用磁阻比值较大的，或采用磁能积较大的永久磁铁。
在物理学中，磁感应强度（用字母B表示，国际单位是特斯拉，符号是T）表示磁场的强弱，磁感应强度越大，磁场越强。
磁敏电阻R周围的磁场增大时：R增大，上边一条支路电阻增大，电流变小。所以电流表示数变小。而灯L1两端电压始终等于电源电压，没有变，所以L1亮度不变。
不可以，注意 因果关系，是电阻 受到 磁场的影响而改变，磁场改变是原因，电阻改变是结果。不能把因果关系颠倒了。
1、磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟(InSb)或砷化铟(InAs)等对磁具有敏感性的半导体材料制成。
2、磁敏电阻器的阻值随磁场的变化而变化，利用磁敏电阻器阻值的变化，可精确地测试出磁场的相对位移。电阻值随磁感应强度而变化的磁敏元件。它利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。
3、磁敏电阻：沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体长度方向上就会发生电阻率增大的现象。一般来说磁敏电阻阻值随附加磁场大小增加而变大。
4、磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钴合金。常用的半导体有InSb(或InSb-NiSb共晶材料)、砷化铟(InAs)和砷化镓(GaAs)等材料，一般用N型。
5、磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。
6、磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。
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