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单向可控硅用万用表测量好坏
用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,槐肢均接近无穷大;用电阻铅游世x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。
正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。
这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。有的G、K间磨缓电阻值极小,也难以判别两控制极是否已经短路
如阴极A接黑表笔,阴极K接红表比时,万用表的指针发生偏转,就说明这单向可控硅已经遭到损坏。
1. 单向可控硅的检测:
万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表备携笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。
2. 双向可控硅的检测:
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。
扩展资料:
可控硅的主要参数有:
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过困碧手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于仿尺伏高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。
参考资料:百度百科-可控硅
根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。
可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极尺咐御与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
扩展资料
可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。
只有当第一陵岩阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没简升有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
参考资料来源:百度百科-可控硅原理
参考资料来源:百度百科-可控硅
可控硅检测法
用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下。
T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档,分别测量各管脚的反向电阻,其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右),即为T1和G极,而剩下的一脚为T2极。
T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极,万用表设置为R*1档,用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极,并将接触T1的表笔同时接触假设的G极,在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表仍显示导通状态。将表笔对换,用同样的方法进行测量,如果万用表仍然显示同样的结果,那么所假设的T1极和姿档物G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表显示断开状态,说明假设的T1和G极相反了,从新假设再进行测量,结果一定正确。
如果测量不出上述结果,说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测迹液出具体参蠢逗数,但判断是否可用还是可行的。
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