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1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。
3、MOS管全称是MOSFET,意思是金属绝缘栅型场效应管,因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名,且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种(另外一种是结型场效应管)。
1、MOS管和场效应管其实是一样的,所以其作用也一样。但在具体电路中,每一个电子元件都会有一定的差异存在。所以要具体电路具体分析。具体条件具体设计。
2、MOS管全称是MOSFET,意思是金属绝缘栅型场效应管,因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名,且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种(另外一种是结型场效应管)。
3、不是,区别很大:一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS);三极管便宜,mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
4、场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
主体不同 场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
区别在与三极管和场效应管,晶体管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件,这是根本的区别;3:晶体管价格便宜,用在一般的场合,场效应管价格高,用在要求高的场合,他们的电路应用形式也大不相同。
场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结型场效应管(JFET)。现在主要使用MOS场效应管,即通常所称的MOS管。 MOS是金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)的简称,即栅-二氧化硅-硅。
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