硅锗二极管（硅锗二极管导通电压）

发布时间：2023-09-10

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）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。

硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。

硅管和锗管的伏安特性曲线形状一样，那只是为了便于理解。如果把数值标在坐标上就能看出区别，两种管子的正向导通电压分别是0.6和0.2v。实际上即使同类型的不同二极管，其伏安曲线也有很大区别。

导通电压不一样，普通锗管导通电压0.3V左右，普通硅管导通电压0.6V左右。

硅二极管就能得到更大的载流量；反向饱和电流小，在PN结面积相同条件下，锗二极管的反向饱和电流比硅二极管大几百至千倍，因而硅二极管的反向耐压要比锗二极管高得多，使用寿命长。另外自然界的硅资源比锗丰富得多。

你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。

硅锗二极管（硅锗二极管导通电压）

1、）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。

2、锗二极管反向耐压则低得多；硅二极管的反向漏电流很小，锗二极管的反向漏电流要大得多；硅二极管的温度系数比锗二极管大。

3、硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。

1、在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。

2、）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。

3、限幅：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、锗二极管的正向电阻很小，正向导通电压约为0.15~0.35V，但反向漏电流大，温度稳定性较差；硅二极管的反向漏电流比锗二极管小得多，缺点是需要较高的正向电压（0.5~0.7V）才能导通，只适用于信号较强的电路。

锗为主要材料制成的二极管，死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。