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mos管大小（mos管大小一样吗）

发布时间：2023-09-10
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ASEMI高压MOS管7N65的大小有多大?

N65封装大小：封装：TO-220 总长度：257mm 本体长度：187mm 宽度：66mm 高度：0mm 脚间距：54mm 7N65特征：低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的门电荷：Qg=29nC（典型值）。

这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。

JCS7N65是N沟道场效应管，主要参数是7A/650V，封装形式是塑封TO-220，主要用于开关电源的开关管。可以用MDF11N65B代换，封装形式也是TO-220，主要参数是650V/ 11A 。

怎样判断MOS管功率大小

1、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

2、看工作电压和工作频率及散热片大小，直流开通状态电流可达20A左右，工作电压可达300伏，因此输出功率可达几千瓦，但做开关电源，工作在几十KHz时，输出功率最多几百瓦。

3、，如果是控制LED通断，可以选择N MOS管，把5V--电阻--LED--NMOS D---NMOSS对地，G为控制脚IN7002，此方法比较简单，而且IN7002是非常常用的管子，很便宜。

4、方法是：红表笔接G脚，黑表笔接D、S脚，电阻值为∞时，是N沟道管；电阻值为5-l0kΩ时，是P沟道管。表笔交换，黑表笔接G极，红表笔接D、S极，当电阻值为∞时，是P沟道管；电阻值为5～l0kΩ时，是N沟道管。

5、大功率MOS管60N10的检测方法：准备 测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。

mos管的贝塔和宽长比的关系

1、与Id成正比。宽长比是MOS管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS管的Id就越大，也就是宽长比与Id成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

2、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。n如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

3、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。

mos跨导和尺寸关系

1、Mos栅宽对跨导的影响是由于栅宽增加会使沟道宽度缩小，导致漏电流增大，从而影响MOS的跨导特性。当栅宽增大，漏电流增加，使得MOS管的跨导变大，因为跨导是漏电流的导数。

2、然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

3、MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

开关电源里MOS管的大小选用,和什么有关系

1、mos管内阻大小由器件的电流、沟道长度和沟道宽度控制。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。然后，再确定输出电流大小，根据电流大小，尽可能选择低内阻MOS管，这意味着其允许输出电流越大，发热越小。

4、如阈值电压、输出电流等，并影响其跨导的大小。总之“跨导”和“尺寸”是MOS管的两个重要的电学参数。其中跨导描述的是MOS管的放大作用，尺寸则反映了MOS管的物理尺寸大小。两者之间具有一定的关系。

5、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

6、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

mos管gm大小

1、MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。

2、然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

3、以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。放大器 跨导放大器 跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。

4、MOS管的放大能力用gm（跨导）来表示，gm=ΔId/ΔUbe，三极管的放大能力用电流放大系数（β）来表示，β=ΔIc/ΔIb。电路才有放大倍数。不同的接法放大倍数不同。

5、场效应管放大电路的输入电阻主要由以下因素决定：管子的类型，MOS管的最大，可以几百兆以上，结型管比较小，几个兆。与gm无关。

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