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mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
“这个二极管可能就是阻尼二极管,这个二极管在震荡回路中,为了防止感性负载而产生的反向高压击穿三极管。
你好,开关电源的RCD吸收二极管是在MOS管截止时导通的,就能把初级的反峰电压消耗在RC上,保护MOS管不被反峰电压击穿。而不是你说的“开关电源RCD吸收二极管可以在MOS管导通的时候防止输入电压直接从RCD吸收一路经过”。
一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。
1、mos管作为二极管原理MOS管,即金属-氧化物-半导体管,是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类:nMOS和pMOS。
2、只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
3、在MOSFET电路中加入瞬态抑制二极管的步骤如下:首先,确定MOSFET的电源电压和工作电压,以及瞬态电压的最大值。其次,选择合适的瞬态抑制二极管,根据其额定电压和最大承受电流来确定二极管的参数。
4、你问的应该是,MOS管内部的二极管,反向导通。一般MOS管,衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向,这个流向可以表示为二极管,即体二极管。然而S和衬底是连在一起的,所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。
5、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
6、是由二极管组成的吗 电脑CPU芯片里边有二极管(主要用于基准电压源),但是更多的是MOS管和三极管;电脑内存里边大概没有二极管。
mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
不是,是为了防止电感负载高压击穿在MOS管截止是击穿MOS管用的。
不是栅-漏吧,应该是漏-源才是。这个是在制造过程中,MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起,而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS:不是故意加上去的。
Q2截止的时候 ,即LF353输出负电压的时候,LED就会亮作指示。看电路应该是一个可调恒流源。
MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的,其电阻极高,容易感应静电,导致击穿烧毁,为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去,当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷,从而起到保护MOS管的作用。
1、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
2、一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
3、当源、漏极接有电感性负载时,管子截止时电感电流不能突变,用这个二极管续流。防止高压击穿管子。二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。
4、不是栅-漏吧,应该是漏-源才是。这个是在制造过程中,MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起,而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS:不是故意加上去的。
5、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
这个二极管就是为这个电动势提供一个泄放的通路,由于电动势的方向与电源的方向相反,所以叫做反向电动势,二极管也是反向接入的。有了它,电动势就不会太高了,保护了半导体开关从而保护了其他元器件不至于损坏。
这个二极管是保护二极管。电路接通时,因电压上正下负,二极管是截止的,没有电流通过。由于发热管这条通路电流非常大,若发热管本身存在电感,在通断瞬间会因电感产生很高的反电动势,危及发热管和下面IGBT管。
K1是电感负载,断电的瞬间会产生反向高压,如果没有这个续流二极管就可能把mos管很薄的绝缘层击穿造成永久性损坏。
场效应管保护电路:一个电阻先和一个二极管并联,然后再和一个电容串联。一般在开关电源开关管上常用。也有一些继电器上用。用来消除MOS在连接一个电感,或是变压器,在开关状态下产生的反电动势。
如图:因Q加的是方波,对于电感L来说加的是时断是通的电流。而电感L在瞬时关断时它上面的电流是不会马上就停止的,如果没有通路,它所蓄存的磁能,将以高压的形式释放,会击穿Q。
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