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可以，发光二极管的工作电压红色7-5V；黄色9-4V；绿色0-4V；蓝色及白色0-8V 发光二极管的工作电流20MA。
相加。内部集成两个mos管串联是指是这两个mos的总和，两个MOS电流是相加。mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。
可以。交通信号灯模块的两个发光二极管，正负极相连可形成一个电路，可以串联或者并联，一正一反并联的电路是限幅电路。
当然可以，不过用一个，它提供的电流会相对变小，发热量增大。
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
3、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
在MOSFET电路中加入瞬态抑制二极管的步骤如下：首先，确定MOSFET的电源电压和工作电压，以及瞬态电压的最大值。其次，选择合适的瞬态抑制二极管，根据其额定电压和最大承受电流来确定二极管的参数。
mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。
二极管加mos控制放电方法如下：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。如果说把一个交流电加在了二极管的两端，电流只能从二极管的正极流入，简称二极管(diode)。
1、用单片机的输出口连接MOS管的控制极，MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1，即可控制发光二极管的亮灭。
2、MOS导通以后，当输出电压达到一定值后，或者DS电流达到一定值以后，会使G11导通，从而使G12截止。此时线圈78电势也将反向，加速G12截止，并维持一定截止时间。G12的电荷可通过C3和G11泄放。
3、在MOSFET电路中加入瞬态抑制二极管的步骤如下：首先，确定MOSFET的电源电压和工作电压，以及瞬态电压的最大值。其次，选择合适的瞬态抑制二极管，根据其额定电压和最大承受电流来确定二极管的参数。
4、必须正确连接S和D的方向，用来控制充电回路的mos管，应该使寄生体二极管与充电电流方向相反，如果接反的话，本来需要关闭这个mos管，但是由于体二极管的存在，导致充电电流无法截止。
二极管的正向接法就是，正电位接二极管的正极，负电位接二极管的负极。即电路原理上，让二极管的正极处于高电位，负极处于低电位的接法，就是二极管的正向接法。
把其中的一只硅整流二极管的正极接在另一只的负极，如图。这样也做好两组。为了不错误两组一样摆好，一样先接好。也就是两只硅整流二极管串联在一起，留下一个正极，和一个负极。
首先将电源的火线连接到两个双控开关。火线连接好后，使用两个二极管，分别连接开关的火线跟零线。二极管连接好后使用电线将两个开关上的二极管连接起来。二极管连接起来后，将开关分出的火线连接到灯泡。
接线图如下：当稳压管在反向接法时，当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，呈现的动态电阻很大。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
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