二极管因子（二极管品质因子）

发布时间：2023-09-10

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年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是体击穿电压，n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。

倍增的计算公式是M=a×2^n。n=1时，M=2a；n=2时，M=4a；n=3时，M=8a；等等。都是成倍增长的，每一项都是前面一项的两倍。

主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。

雪崩能量的计算公式如下图：Datasheet中给出的雪崩能量值一般是真实能量值的一半左右。雪崩击穿时MOSFET能承受的最大电流，超过这个电流，器件将损坏。雪崩电流一般等于器件的最大额定漏电流ID（即器件的最大工作电流）。

+β*Ut/Icq，其中rbb’为基极电阻，约为150~200Ω，Ut常温下约为26mV，Icq为集极静态电流。三极管跨导gm=Icq/Ut，Ut约为26mV，在忽略rbb‘时，gm≈β/rbe。

1、用了功率因数校正电路，可节约能源，减少电磁辐射干扰，在高档的开关电源，直流焊机电源，以及通过强制认证的节能灯上都有应用。

2、因为功率因数是有功功率和视在功率的比值，即cosΦ=P/S。所以单相桥式全控整流电路功率因数用有功功率除以视在功率算。单相桥式整流电路是桥式整流器，也叫做整流桥堆，是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路。

3、原因可能有以下几点：二极管本身有结电容。致使功率因素不为一。在整流电路中有滤波电容。经二极管整流后输出并不是平稳光滑的直流电，一般还需要经过滤波稳压电路，这就给电路引入了容抗和感抗致使功率因素不为一。

4、二极管承受的最大反向电压为变压器电压的二分之根号2倍。

5、) 由于电路中串有二极管，只能单向导电，电流为半波整流波。

6、功率因数的大小与电路的负荷性质有关，如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数为1，一般具有电感或电容性负载的电路功率因数都小于1。功率因数是电力系统的一个重要的技术数据。功率因数是衡量电气设备效率高低的一个系数。

二极管因子（二极管品质因子）

光电子器件：碳化硅在光电子器件领域也有应用，例如用于制造高功率激光二极管和光伏电池。碳化硅可以在高温环境下工作，并且对光的吸收范围广泛，适合用于高性能光电子器件。

主要用途：用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。化工行业、磨料磨具行业、钢铁行业等。碳化硅又称碳硅石。

可用作炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂；可用作制造四氯化硅的原料；是硅树脂工业的主要原料。