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MOS管只有多数载流子参与导电,三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。MOS管灵活性比三极管好。在工艺上MOS管更易于集成。
mos管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。
成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
\x0d\x0a一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管\x0d\x0a实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和\x0d\x0amos晶体管的工作方式才能明白。
MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压,MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。从工作稳定性考虑,一般要留有30%-50%,甚至更多的余量。
看用什么样的电路,如果MOS管和三极管都是当开关用,并且电流一样,那应该MOS管小,因为MOS管上的压降小。
一号和二号无氧铜标准不同。一号无氧铜纯度达到百分之997,氧含量不大于百分之0.003,杂质总含量不大于百分之0.03。二号无氧铜纯度达到百分之995,氧含量不大于百分之0.003,杂质总含量不大于百分之0.05。
无氧铜棒就是使用纯度非常高的紫铜生产的,无氧铜的纯度有995%,且含氧量要<10ppm,杂质含量要<0.05%。
无氧铜是纯度较高的紫铜,分子式就是Cu,TU2无氧铜纯度达到995%,氧含量不大于10PPM,杂质总含量不大于0.05%。
无氧铜是指不含氧也不含任何脱氧剂残留物的纯铜。实际上还是含有非常微量氧和一些杂质。按标准规定,氧的含量不大于0.03%,杂质总含量不大于0.05%,铜的纯度大于995%。
1、增加控制功能,需要增加电气元件,比如开关,一些电器触点等。改进电路就是让它们更好的运行,避免出现矛盾。
2、用最先进的无触点几乎无需保养维修的固态继电器。特点是直流低电压宽电源快速启动。
3、保证控制电路工作的可靠性。一是电器元件要正确连接。设计时要求,在交流控制电路中不允许两个电器线圈串联,应将两个电器线圈并联在电路中,以免发生误动作。
4、触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步 为了保证晶闸管变流装置能在给定的控制范围内工作,必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。
5、a)控制电源不能构成回路,同时控制线无短路保护;按SB按钮,接触器不能吸合。b)自保持触点接错位置;只能点动,不能自保持。c)自保持触点接错位置;启动后停止按钮失效,不能停止。
6、过载保护:当控制电路中的电气负荷超过额定值时,需要采取措施来保护电路,避免电气负荷过大引发电路故障。常用的电器有热继电器、断路器等。
三极管手册规定是125°C为极限温度。但是这个极限温度是指管子内部芯片的温度,不是外壳温度。外壳发热到手不敢摸时,内部基本上就到极限温度了。经验是手摸外壳可以坚持10秒时,外壳的温度为60度,内部100度。
如果焊接牢固、熔合的好、焊接点面积够大而且熔深够标准;在没有其它外力作用的情况下是不会掉焊的。焊接点是通过局部高温把母材熔化重新形成永久性的连接,通常是不会掉焊或者脱焊的。
一般,硅三极管的结温(简单说就是管芯温度)都可达150摄氏度。但应该明白,管芯与表面是有温差的,温差大小与实际功耗、管子结构、环境温度、散热设计等有关。一般,硅三极管表温不应高于90摄氏度,最宜不高于60摄氏度。
一般硅的PN结耐高温极限值是175摄氏度,但真正使用起来不应高于70度,锗材料最高温度约75——85度,一般不能超过60度。结温越低,寿命和可靠性大大增加。
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