mos管击穿区（mos管的击穿电流大概是多少）

发布时间：2023-09-11

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1、放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

2、MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

4、一共分四个区：可变阻区；预夹断区；饱和区，恒流区或放大区；截止区或全夹断区。

5、三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。

6、通俗说：截止区就是不导通，放大区就是随电流的改变工作点呈线性变化，饱和区就是工作状态时工作点不随电流的增加而改变。

mos管击穿区（mos管的击穿电流大概是多少）

mos管的放大区就是饱和区，mos的三种状态没有击穿区，是截至区，击穿区可以定义为第四种状态。

一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种常用的电晶体管，其作为开关时工作原理如下：当MOSFET处于关断状态时，其中间的漏极与基极之间没有电流。

1、电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

2、输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

4、一共分四个区：可变阻区；预夹断区；饱和区，恒流区或放大区；截止区或全夹断区。

5、MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的，MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区，当在可变电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。

6、mos管分为截止线性饱和区三个状态 mos管的线性区就是可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。