mos管寄生二极管（mos管寄生二极管过电流能力）

发布时间：2023-09-11

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这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

不是所有的MOS管都存在这个二极管，只有V-MOS管（垂直导电）才有。这个二极管也不是“加”上去的，是该类管子制作工艺过程中与底衬间的寄生二极管，天然存在，不要不行。

mos管寄生二极管（mos管寄生二极管过电流能力）

模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

名曰寄生二极管，由于器件生产时，将S源极接到衬底形成的。区别是型号不一样，参数一般也不一样。

内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。

mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

1、不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。

2、在常用的MOS管的Datasheet中原理图上，常见D和S极之间有一个二极管，该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。

3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。