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1、你说的情况是因为当发射极加电压时,Ube发生了改变,Ib自然就变了,Ib变引起了Ie变。
2、你在叙述中Ie变大“相应的Ic也变大,Ic将导致Ib也变大。”首先Ie变大很小,所以Ic变大也很小,另外Ic也变大是由Ib也变大引起的,它不会再引起Ib变大,Ib的大小是由偏置电阻和Re的电压Ue决定的。
3、首先是Ic增大,然后使得Ie增大,不是Ie让Ic增大的,而且当Ie增大到与Ic平衡之后就不在增大,Ie增大之后使得Ue增大,然后使得Ube减小,进而使Ib减小,通过Ic=βIb关系式得知Ic减小,从而达到稳定的作用。
4、三极管的电流放大作用 直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路满足放大的外部条件:发射结正向偏置,集电极反向偏置。
1、放大电路是利用具有放大特性的电子元件,如晶体三极管,三极管加上工作电压后,输入端的微小电流变化可以引起输出端较大电流的变化,输出端的变化要比输入端的变化大几倍到几百倍,这就是放大电路的基本原理。
2、三极管放大电路原理是集电极电流受基极电流的控制,电源能够提供给集电极足够大的电流,并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化。三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极c,基极b,发射极e。
3、三极管放大原理,简单的说:管子工作前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后发射区向基区扩散电子,电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流。电子被集电极收集。
4、放大原理 发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。
1、在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。
2、首先你的图有错误。集电极应该通过一个10K欧姆的电阻与电源相接,发射极下面可以不需要电阻与地相连,这样三极管导通时,电阻为很小,与集电极10K欧姆电阻分压,几乎等于0了,这样在集电极上就是低电平呀。
3、三极管的导通条件是发射结加正向电压,集电结加反向电压。发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
4、三极管分PNP和NPN两种,两种的区别是电流流向和电压极性相反。但都需要VBE大于等于0.7V导通。.场效应管分NMOS和PMOS,每种又分增强型和耗尽型。但是NMOS和PMOS所需施加的电压极性也刚好相反。
5、所谓正偏就是指三极管的两个电极之间的PN结两端的电压极性与PN结极性一致。零偏就是PN结两端电压为零,三极管集电结零偏时其工作在临界饱和导通状态。
1、光敏三极管,又称光电三极管,是一种特殊的三极管,它能够感应光线,并根据光线的强弱,改变其导通状态。光敏三极管通常由一个硅晶体基底、一个光敏层和一个电极构成。
2、光敏三极管是一种能够感知光线强弱的电子元件,它可以根据光线的变化来控制电路的开关。
3、光敏三极管有两个引脚是因为输入的是光信号,根据光敏三极管的工作原理推断,由于光敏三极管的基极输入的是光信号,造成它只有发射极、集电极两个引脚。这就是光敏三极管有两个引脚的原因。
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