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1、当PN结反向偏置时，扩散电容变得主导。反向偏置时，势垒加宽，形成一个更大的耗尽区域，扩散电容因载流子的扩散而增加。因此，当PN结正向偏置时，主要考虑势垒电容；当PN结反向偏置时，主要考虑扩散电容。
2、反向偏置时ρ和S均不变，空间电荷区变厚，相当于电容的两个极板间距变大，所以电容变小。
3、简答题答案：空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。当p型半导体和n型半导体紧密结合时，在其交界面附近存在载流子的浓度梯度，它将引起p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散。
4、相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。针对扩散电容来说：PN结反向偏置时电阻大，扩散电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。频率越高，电容效应越显著。
5、在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
假设空间中的势能处处给定了，你可以把势阱或势垒理解成特定的空间区域，势阱就是该空间区域的势能比附近的势能都低，势垒就是该空间区域的势能比附近的势能都高。基本上就是极值点附件的一小片区域。
当外加正向电压时，这个电场是阻止电流从P区流向N区的。这就是“势垒”，也叫“阻挡层”。若要电流流过，就必须克服这个内建电场，也叫克服“死区电压”。
含义不同：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。
当给P—N结加正向电压，会导致势垒降低，势垒区变窄。这时处于N区的多数载流子，也就是电子就会注入P区；P区的载流子，也就是空穴，会注入到N区，所以空穴在N区，电子在P区，就成为少数载流子。
电容是表征电量与电压之间的关系，PN结一边是负电荷，一边是正电荷，而且随着电压的增大，PN结变变宽或变窄，与电容的特性相同，这个电容发生在势垒里面，称为势垒电容。
一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD 。 (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。
这个电容是由半导体三极管内部结构所固有的。它的存在，在外电路来看就是跨接在集电极和基极之间。对一个共发射极电路来说，它是接在输入端和输出端之间的。
势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。
当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路，高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过，二极管就失效了。
1、势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
2、扩散电容是正偏压时少子的电容效应引起的，势垒电容是反偏压时空间电荷的电容效应引起的。
3、势垒电容与偏置电压成反比关系，即电压越高，势垒电容越小。扩散电容是PN结中的另一种电容，它是由于载流子的扩散导致的。PN结中的扩散电容主要由扩散过程中的载流子集中和扩散引起的电荷积累形成。
PN结的电容效应是指在PN结中由于电荷分布的变化而产生的电容特性。势垒电容（也称为空间电荷区电容）是PN结中的一种电容，它是由于P区和N区之间形成的势垒导致的。当PN结正向偏置时，势垒电容起主导作用。
结电容就相当于并联在两个结的一个电容，是由于pn结的面积形成的一个电容。
最佳答案二极管反向的时候，PN是不导电的，而PN结两边的N区和P区是导电的，这样两个导电区就成了电容的两个电极，PN结就成了介电材料。
pn结电容 PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。
PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率，PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多。
三极管有两个PN结，集电极和基极之间的电容就是集电结电容。这个电容是由半导体三极管内部结构所固有的。它的存在，在外电路来看就是跨接在集电极和基极之间。对一个共发射极电路来说，它是接在输入端和输出端之间的。
1、势垒电容：在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
2、变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。是一种利用PN结电容（ 变容二极管 势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，其结构如右图所示。
3、半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。
4、二极管的应用 整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
5、PN结电容：PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ，外加正向电 压CD很大， Cj以扩散电容为主(几十pF到几千pF) ，外加反向电压CD趋于零，Cj以势垒电容为主(几pF到几十pF到)。
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