mos管英语（mos管简称）

发布时间：2023-09-11

阅读量：58

本文目录一览：

1、CMOS 互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，换句话说，他是一种由无数电子元件组成的储存介质，比如说，MOS是一个电子器件，而CMOS是容器，他可以装数据在里边。

2、mos是“场效应管”的英文简写；比如：Live MOS Live MOS感光器件具有全祯(FFT) CCD的优质的画面素质，同时又有CMOS低功耗的优点。

3、由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

mos管英语（mos管简称）

MOS管是组成MOS（Metal Oxide Semiconductor）集成电路的基本元件。它有三个电机：源极S、漏极D和栅极G。它是电压控制器件，用栅极电压来控制漏源电流。

场效应管，英文mos管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

1、mosfet是英文MetalOxide SEMIcoductor FiELD Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。

2、“MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常称之为，金属氧化物半导体场效应晶体管。

3、MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。

4、金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

5、为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

6、即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。

关键词：mos管