mos管的功耗（mos管的功耗看哪个参数）

发布时间：2023-09-11

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1、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

2、功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

3、mos场效应晶体管功率5000w MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor， MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。

4、功耗（PD）：125W 二极管正向电压(VSD)：5V 最大脉冲正向电流ISM：48A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 12N60是TO-220封装系列。

mos管的功耗（mos管的功耗看哪个参数）

1、N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

2、一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。

3、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

4、功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

1、以225瓦为例，表示这个电器在工作时每秒钟消耗的电能为225焦耳（J/s），也可以理解为每小时消耗的电能为0.225千瓦时（kWh），这个值越大则表示电器消耗的电能越多。

3、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

4、手册中给出的通态电阻，是完全导通后的最小值。如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

5、最大耗散功率310W：在外部散热条件完美的前提下，自身可承受310W的功率（发热量～～）。

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