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mos管高边驱动（mos管高边驱动电路）

发布时间：2023-09-11
阅读量：51

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碳化硅MOSFET选哪家？

扬杰科技 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。

三安集成碳化硅MOSFET， Sanan IC SiC MOSFET， Sanan IC Silicon Carbide MOSFET 随着中国“十四五”规划浮出水面，第三代半导体项目投资升温加剧。

天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。

MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。

汽车mos是什么意思

大众mos系统，是一款智慧车联系统，是把许多使用功能集于一体的智能系统，如寻车功能，智能提醒续航里程，导航等。汽车mos用于汽车LED照明电路。

是MOS管。开关电源的应用中，无论是升压还是降压都是随着MOS管的不断开闭而逐步变化的。这里选用MOS管要考虑的是流过MOS管的电流和耐受的电压，另外在应用中要考虑开关频率和阻尼的设计以及隔离MOS管产生的开关噪声等。

智能驾驶平台。MOS智慧车联是新浪汽车、新浪微博与北京安硕物联共同打造的，通过车联网技术实现车辆远程调度、车况监测、数据分析等功能，提高驾驶安全性、降低运营成本。

车规级mos和普通mos的区别在于电源芯片上。车规级（pmos）主要指一些功率器件为低成本设计，用来代替原装的igbt或者ipm等；而普通mos是指采用高性能开关电路以及工艺技术相对比较先进的mosfet产品，它们都可作为应急备份。

NMOS管高边驱动,希望能够设计一个升压驱动电路使栅极电压高于电源电压...

如图：我自己对MOS管的理解就是P型在应用时栅极应给个上拉的正偏的电压，N型栅极拉低让其零偏或反偏；可是看到有人在电路中应用时没有加那个下拉电阻。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。 每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。

对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

选型时候，电压要大于额定电压尖峰值20V左右（不可太高），电流可以选择容量大的，同时查看下导通阻抗，越小越好。另外，建议采用IGBT，效果比MOS好，但是价格偏高些。

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

电磁阀为什么接个高边电源然后用mos管启动

MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。MOS管的温度特性要比三极管好。

V的电磁阀接线不分正负的原因如下：并联的二极管只是一个发光二极管，它除了发光指示的作用外，没有其他作用。如果电源极性接反，它就不会发光，起不到指示灯的作用。不会对设备造成影响。

电容：电磁阀的控制电路中常常需要添加一个电容，因为电磁阀的工作需要一个较大的电流脉冲，而电路中的其他元件（如开关、继电器等）可能会产生电压干扰，导致电磁阀无法正常工作。

请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗?

TLP只是一个驱动器，驱动的高电压来自Vcc输入，和加不加自举电容没有必然关系。如果你的Vcc电压能保证上管MOS管在导通时持续导通，就没必要加。

\r\n两者的区别是低边驱动比较容易实现，而且电路也比较简单，一般的MOS管加几个电阻、电容就可以了。\r\n但是高边则不然，需要让GS保持一定的压降，以确保稳定、连续的开关。这时需要一个自举电容。

你实际测量源漏两端的电压了吗，记住了是源漏直接在mos上测量。

导通电阻：导通电阻有时候也译成通态电阻。在同样的条件下，NMOSFET的导通电阻比PMOSFET要小。这是因为电子的导通速度比空穴快，因而影响到导通电阻。因此为了追求低导通电阻。

我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

关键词：mos管

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