mos管漏极（mos管漏极和源极电流）

发布时间：2023-09-11

阅读量：50

本文目录一览：

有关系。MOS场效应管的漏电流是指在零偏压下，漏极与源极之间的电流。漏电流可以通过改变MOS管的结构参数来控制，其中接触电极面积是一个重要的因素。

以N沟道MOSFET为例，正常工作的时候漏极电位最高，N型漏极区与P型衬底处于反向截止状态，可能会存在微小的反向漂移电流，但这几乎是可以忽略不计的。

MOS（金属氧化物半导体）输出电阻（Rds）与电流之间存在一定的关系。

耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。

源漏互换了。其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的，两边完全对称，只有外加电压后才有源漏一说。

理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

但制造MOSFET时，因为有体二极管（Body Diode）并在D-S之间，故实际应用时D－S根本就是不能互换了；体二极管是MOSFET制程过程中，天然形成的，没有办法避免。

1、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

第一次听说mos管衬底接地，我们应用mos管时，只能使用G、D、S三个极，衬底是封装在内部的，没办法接地。

你也许会问，为什么D接正S接地？因为：mos管都是对称结构的，电源接哪边都一样，哪个接正就叫D极；哪个接地就叫S极。

MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

mos管漏极（mos管漏极和源极电流）

关键词：mos管