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1、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
2、定性判断mos型场效应管的好坏 先用万用表r×10kω挡(内置有9v或15v电池),把负表笔(黑)接栅极(g),正表笔(红)接源极(s)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。
3、.判别其好坏。用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外,其余各引脚之间(G与D、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。
4、判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏,就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
5、此时,万用表指针应不动;然后再对换表笔,再测,此时,万用表指针应向右摆动。经过这两次判断,这个场效应管就是好的。如果所测的结果与上述不符,则这个场效应管就是坏的。要么是击穿了,要么是性能不好了。
测量5N60C好坏时,首先将万用表量程开关调至二极管档,将5N60C的G极悬空,用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极,若是好的管子,万用表显示为“OL”,即溢出(见上图)。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。
若万用表读数由原来较大阻值变为0,则此红表笔所接的即是源极S,黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效,说明该管为N沟道场效应管。
如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
做完以上准备工作后,按以下三个步骤操作,即可判断控制器好坏。
反之,黑表笔接一个管脚,红表笔分别碰触另两个管脚,都是正向电阻,则是NPN三极管,黑表笔是基极;双向可控硅的测量特性与三极管近似,很难用万用表区分 。
而对于PNP型三极管的测量方法也一样,只不过是黑表笔在b极,红笔接触另外两脚能测得两组相近的数据,如下图:下面是对场效应管的测量方法。
场效应管也可以使用指针万用表,同普通三极管一样的测试方法测试。使用数字万能表测试,只能使用它的专门测试三极管的档位和插座上测试。但是显示出来的β值仅仅作参考。
二极管三极管PN结压降值为0.4V到0.7V之间,场管DS极压降值0.5V左右,G极与D、S极为开路。
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起。
IRF540N的使用方法是:将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极,D的作用是与散热孔铁片相连,T的作用是用来接地。
不是所有的MOS管都有寄生二极管,只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管,必须用二极管档测量,才能在一个方向测到电阻(电压),反方向不通。
④红表笔放C极,黑表笔放E极,数值为无穷大,反过来测,红表笔放E极,黑表笔放C极,数值为无穷大,都表示正常。MOS管是一种电压控制电流的元件。
缺少保护电路。参数选取不合理,没有余地。mos管是金属metal—氧化物oxide—半导体semiconductor场效应晶体管,是金属—绝缘体insulator—半导体。
在这种情况下输出端没有电流通过。 mos管的工作原理 当给定的正反馈条件满足后,若将控制电路中的控制电压加在栅源之间以形成负反馈回路,则可使晶体管导通而达到放大目的;反之亦然。
用数字万用表判断MOS管的好坏 红左,黑中、右 无穷大 黑左, 红中、右 无穷大 红中,黑右 无穷大;黑中红右显示530(左右)。
应该正向导通,反向电阻无穷大。此时,剩下的就是g级,用R*1K档,黑表笔接g,红表笔接s,在g,s间充电,然后再将黑表笔接d,表指针会偏转,然后慢慢返回,说明管子是好的。
1、用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
2、可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
4、做完以上准备工作后,按以下三个步骤操作,即可判断控制器好坏。
5、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。
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