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这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
型号是83T03GH。好盈天行者电调是无人机配件，MOS管是电调上的晶体。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
SOT-23，单价才几分钱一颗。耐压20V，耐流3A以上。。完全满足你的要求。。
1、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
2、贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。
3、大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。
4、A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。
5、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
FET有三个主要端子：栅极、漏极和源极。施加到栅极的电压（VG）控制从源极IS流到漏极ID的电流。在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。
这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该端后，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。因此，在使用前检测mos管10N65的质量可以避免损坏整个电路。
1、N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。
2、N10。根据查询家电维修资料网得知，功率最大的mos管是100N10，功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。
3、可以用N型MOS管 80A60V，TO-220的封装来代替 。只要符合管子的参数的都可以替代的。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
1、N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。
2、这个应该是TOSHIBA（东芝）的物料。U=-1000V、I=8A、P=150W，TO-3P。FUJI（富士）有大概对应的物料，FMH09N90E（900V，9A，PD=205W，TO-3P）。
3、功率特性，3713MOS管的最大功率为150W，而228MOS管最大功率为100W，所以3713MOS管的功率特性更高。
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