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1、很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
2、MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关。
3、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。
这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。PWM信号反相。
A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为1V~4V,标称3V;7V的锂电池,饱和是2V,选择3V工作的单片机,足够驱动了。
不会。占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低。
电压值不够让MOS充分导通。PWM信号高电平是电压值不够让MOS充分导通,工作在饱和区;需要用三极管当做开关,使得控制MOS的高电平电压值接近15V。
有些元件会有随PWM抖动并发出声音你那个100%的时候相当于没变换波形了,要不一直高,要不一直低。也就没抖动了,就没声音了,把频率调到声波范围以外。一般会在电感上有声音。。电感线圈没固定好原因。漆没浸好。
1、问题4:看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
2、可以的,脉冲调制,相当于调节了输出的平均电流。可以控制亮度的。。看看这个程序吧,控制IGBT的导通时间来调节吧。具体我也没用过呢。
3、直接驱动不行的,我以前做BUCK电路用的是三极管驱动电路,性能很好。前一级电压放大,后一级推挽式输出电流放大,有很大的驱动能力,速度也跟得上,Vc、VGS、VDS三者可以相同,具体看情况取值,三极管可选SS8050和SS8550。
4、第三种方案: 是最彻底的单片机控制开关电源, 但对单片机的要求也高。要求单片机运算速度足够快, 且能输出足够高频率的PWM波。DSP 类单片机速度够快, 但价格也很高, 占电源总成本的比例太大, 不宜采用。
5、不能的。低位管还有可能勉强驱动,高位管肯定不可以。除非你的全桥供电电压和单片机一样(一般不会这么低),并且是互补管构成全桥。
6、IRF3205 或IRF4905 等场效应管就可以,我弄这做过驱动电机的H桥电路,不错 这就是三脚的,功率较大。当然也还有其他的。
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