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1、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比,宽长比越大,MOS 管的 Id 就越大,也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。
2、一般来说,nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
3、mos管没有宽长比,mos管的VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。
场效应管的S极一般是接地的。你说的对地阻值应该是D极与S极的阻值吧。常见的场效应管:D极与S极是不通的。S极与D极有个几百欧姆的阻值。跟量一个二极管差不多。
用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。
MOS管栅极串联电阻的确定方法:当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极:根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。
2、红左,黑中、右无穷大黑左,红中、右无穷大红中,黑右无穷大;黑中红右显示530(左右)。其实场效应管三极管很好判断:有字面朝上从左到右依次为:G、D、S,有些管相反:S、D、G。
3、如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起。
关键词:mos管
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