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1、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
2、这两种焊机都好。IGBT焊机是较可控硅新一代的产品。其工作频率高，因此焊机体积小，比较节能。对于常用手工焊及气保焊，IGBT技术足以胜任这项工作。
3、单管igbt。单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。
4、igbt发热严重。igbt中感应加热设备的整机效率为80%以上。可控硅感应加热设备的整机效率为50%-60%。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
1、两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
2、大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。
3、IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。IGBT电炉真的比可控硅电炉节电吗？我们通过以下计算，就可以看出是否节电。
4、由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。材料不同： IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。
2、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
3、工作原理不同：二极管工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。三极管工作原理：晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。
两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
碳化硅功率模块与同等级的硅基IGBT功率模块相比，碳化硅导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。
MTC可控硅模块是普通可控硅模块，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT也称可关断可控硅。
两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。
由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。
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