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江崎玲于奈1925年3月12日出生于日本大阪，1940年就读于京都第三高等学校，1944年进入东京帝国大学，是日本近代著名固体物理学家江，是建筑学家江崎壮一郎的长子。
江崎玲于奈（Reona Esaki），1925年3月12日出生于日本大阪，毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社（现索尼）。
典型的负阻抗电路—负阻抗变换器（英语：negative impedance converter）—是由约翰·林维尔（英语：John G. Linvill）在1953年发明[5]。而典型差动电阻为负值的元件—隧道二极管—则是由江崎玲于奈在1958年发明[6]。
1、谐振隧道穿透二极管，Resonant tunneling diode（RTD）：这是由两个量子势垒夹有一个量子势阱而构成的一种两端量子器件，它是依靠所谓共振隧穿效应来工作的，具有负阻的伏安特性。现在它已经成为了纳米量子器件的一种基本器件。
2、则使透过率增大，这就对应于谐振隧穿的情况——开通；相反， 对其他一些波长的入射波， 将由于势垒的反射， 使透过率下降——关断。
3、入射的词语解释是：入射rùshè。(1)某物(如抛射体或光线等)到达一个表面上。入射的词语解释是：入射rùshè。(1)某物(如抛射体或光线等)到达一个表面上。结构是：入(独体结构)射(左右结构)。拼音是：rùshè。
4、量变的结构是：量(上下结构)变(上下结构)。拼音是：liàngbiàn。词性是：动词。注音是：ㄌ一ㄤ_ㄅ一ㄢ_。
隧道二极管是一种具有负阻特性的半导体二极管。目前主要用掺杂浓度较高的锗或砷化镓制成。其电流和电压间的变化关系与一般半导体二极管不同。
施密特触发器可以利用简单的隧道二极管（英语：tunnel diode）实现，这种二极管的伏安特性在第一象限中是一条“N”形曲线。
二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。
量子隧穿在若干物理现象中起着至关重要的作用，例如在太阳等主序星中发生的核聚变、隧道二极管，量子计算和扫描隧道显微镜中有重要应用。下面的视频中将简单介绍量子隧道效果及其在扫描隧道显微镜中的应用。
在电路设计中，非正式的无源元件指的是不能获得功率的元件；这意味着他们无法放大信号。在此定义下，无源元件包括电容器，电感器，电阻器，二极管，变压器，电压源和电流源。
详解：对于线性元件，通过它的电流和它两端的电压成正比，比值R称为电阻，即u=IR，它的伏安特性曲线是过坐标原点、斜率为1/R的直线。
有负电阻，若当它从外界电源吸收功率当电压V减少ΔV时，流过R的电流反而增加ΔI，这曲线斜率的倒数为负，即是负电阻特性，它不但不消耗功率，反而向外界输出功率，所以负电阻相当于发电机的作用。
当然有负电阻，但负电阻为有源元件，测他的电阻阻值确实为负值，比如有一种元器件叫负阻抗器，通过他之后，会让电路等效电阻为负值，但实际上不是真正意义的电阻，所谓有源元件就是元器件自带电源。。。
没有。根据查询相关公开信息显示，电阻是不分正负极的。电阻是无极性的，从理论上来说只要阻值和功率匹配的话就可以通用。一般而言，只有阻值和封装的区别，没有方向的区别。
由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。
按照半导体物理学，耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然，掺杂越多，耗尽层就越宽。你用的模拟电子技术基础写错了。老旧模电书写错的地方海多了。这是因为，半导体物理学是模拟电子学的基础。
所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间电荷区的电场作用，两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化。
N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成PN结以后，会扩散出一个内电场，也叫PN结、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。
这是一种量子力学现象， 按照经典力学是不可能出现的。隧道二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。
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