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mos管pd（mos管PDF网盘）

发布时间：2023-09-12
阅读量：61

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MOS管70SL500A参数

1、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。

3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

4、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

5、对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

详解功率MOS管的每一个参数

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。

V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。

pd482mos管如何替换

1、MOS管替换蛮麻烦的，表面上看，至少需要关注：种类；ID（持续和峰值）；PDM（最大耗散）；Rd（有时候要考虑）。特别是前三个。实际替换时，MOSFET的特性曲线往往有所不同，还要进行上电实测，光看指标不行。

2、CH-10机芯电源部分C-MOS管V840可用STW10NB60、BUZZ33IRFIB5N65A代替。安装位置只需将VD840、R821移位即可。 CH-10机芯所用CPU目前有四种，它们是CHT080CHT081CHT120CHT1202。

3、要用正负双电源；PMOS管的漏极不能接地，要接-Vdd；Vi不能用正极性脉冲，要用正负脉冲。可选用正负双电源供电的PWM芯片。

4、不可以。晶闸管可以BD93BD29C、2N4233等代用，双向可控硅是不可以用mos管代替的，可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管，具有体积小、效率高、寿命长优点。

ASEMI中小功率MOS管10N60的功耗(PD)是多少?

N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

编辑-Z 7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

关键词：mos管P mos管

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