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1、要看你作为什么用,需先串联一只整流二极管作为半波整流,作为指示用,1毫安左右即可,串110KΩ~150KΩ的电阻,如果是照明用,根据发光二极管的额定电流,如20毫安,串联电阻为6KΩ,最好用电容降压经整流桥使用。
2、锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω,反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都由二极管来构成的,由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
3、二极管为非线性元件,其阻值是不固定的,在一般的检测中,锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
4、把22k电阻去掉。将LED与4007反向并联,之后与0.2μ电容串联。接入市电即可。
5、二极管正向导通时,它的正向电阻r =(正向压降v)/(正向电流i),其中,正向压降v 在二极管正向导通时基本不变(硅管约0.7v;锗管约0.2v)。所以,它的正向电阻r 不是不变的,它与正向电流i 的大小有关。
6、发光二极管电阻计算方法假设正向导通电压值为5V,功率3瓦的发光二极管,外加最高2V的锂电池,这时的最大电流应为:I=3W/5V=0.85A,最小串联电阻应为:R=(2-5)/0.85=0.82欧姆。
是肖特基二极管。太阳能板是在光的作用下产生伏特效应,所以伏充由太阳能板充电的简称SR260是60V2A的肖特基二极管。当手机没有足够的电量时,太阳能充电宝就把电池里的电能输送给手机。
硝特基二极管基本材料也是硅。普通的硅二极是利用P型和N型形成PN结的单向导电性制作的。而硝特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结(简称金属结)原理制作的。
RL205是硅整流二极管。 正向平均整流电流:0A,反向重复峰值电压:800V,正向不重复峰值电流:70A ,正向峰值电压:0V 0A ,反向峰值电流:0~50A,封装:DO-15。
肖特基二极管SB260与SR260没有区别。电路中它们可以相互替换。SBD是肖特基势垒二极管的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
RL207是整流二极管,不可以用IN4007代替,RL207是1000V2A的整流管,1N4007是1000V1A的整流管,两者耐压都是1000V,但是两者整流电流不同。
1、发光角度:这是指LED灯条上LED元件的发光角度,一般通用的贴片LED(即SMD元件)的发光角度都是120度。发光角度越大,起散光效果越好,但相对的,其发光的亮度也就相应减小了。
2、用万用表检测利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的角度大小。二极管,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。
3、即SMD元件的发光角度都是120度。发光角度越大,起散光效果越好,但相对的,其发光的亮度也就相应减小了。发光角度小,光的强度是上去了,但照射的范围又会缩小。评定LED灯带的另一个重要指标就是发光角度。
SB560是一款用于保护电路的二极管,其代号中的SB表示“Schottky Barrier”二极管,560为其型号编号。
①、关于以上SB560为肖特基二极管,其参数为//耐压:60V//电流:5A//。②、关于以上那FR320为快恢复二极管,其参数为//耐压:100V//电流:3A//。
不能。sb560不能用sr5200代换,参数不匹配二极管5200指SR5200或SB5200,SB560二极管可以用SR560代替,两者的工作电流都是3A,反向耐压都是60V肖特基二极管,而且都是SMB形式的封装。二极管是用半导体材料制成的一种电子器件。
SB5100不可以用sb560替换,一个是5A100v,一个是3A60v,电流耐压都不同。SB5100肖特基二极管,100V,5A。RU4D电流只有1.5A,不能代换SB5100。
SB560 Si-PNP 100V 0.7A 0.9W 100MHz 可带换管有很多,知道了该两个管的参数,就根据该参数到市场上配就是了。代换条件是,在不知电路要求的情况下,各指标应尽量大于等于要代换管的参数,放大倍数也有要求。
FR157参数 5A 1000V 快恢复二极管。SB560参数 5A 60V 肖特基二极管。FR157不能用于电吹风,也不能代替SB560。
尖峰吸收电路中快恢复二极管的参数要求如下:具有良好的温度稳定性,减小或避免当器件温度升高时产生的性能的劣化现象,正向压降具有正温度系数的功率二极管就具有很好的温度稳定性。
Reverse Recovery Time, t_rr):指二极管从反向偏置到正向偏置时,电流从最大反向电流降到指定反向电流的时间。这个参数是描述二极管反向恢复速度的重要指标,一般来说,反向恢复时间越短,二极管的反向恢复速度越快。
功率快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系,主要是正向导通特性、反向恢复特性,及反向击穿特性等之间各参数的矛盾主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流。
整流二极管反向恢复时间是指:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。
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