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1、芯片电源上升过快会烧芯片。因为芯片内部电路需要一定的时间来响应电源电压的变化，如果电源电压上升过快，芯片内部的电路无法及时响应，导致电路产生错误或损坏。
2、电压增加时，才能向可控硅的结电容充电，有电进来，才会被触发，电压升势过猛，则结电容的充电电流就会很大，甚至远大于触发所需，纵然离正向转折电压尚远，也会被触通。
3、如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
4、-3 倍。外加电压超过反向击穿电压会造成元件永久损坏，若超过正向转折电压。元件就会误导通，可控硅参数符号说明经过数次这样的导通，元件也会损坏。
5、μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。——★一定要使用该电路作试验，应该采取两个措施：①、限制电容的充电电压，可以在电容上并联6V的稳压二极管；②、限制触发电流。可以在触发回路串联电阻来实现。
1、单硅导通后，在交流电的过零点又会截止，所以你提供的方法中，把单硅换成双向可控硅就可以了。单硅常用在交流的三相电的整流和一些换向电路上。
2、单向可控硅能直接通入220V交流电，但是耐压要选足够大的。
3、单相可控硅相当于可调输出的二极管，单只单相可控硅输出定是直流电，用二只单相可控硅和二只二极管组成的全桥电路就可以得到可调的交流电，这种电路大多用在大功率电路中。双向可控硅可以直接输出交流电，大多用在小功率电路中。
1、把可控硅的触发极断开，上电后可控硅再导通，是可控硅坏了。上电后可控硅不导通，触发电路有故障。
2、可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
3、你好 ——★“可控硅一旦触发后，不就一直导通了吗？”...是的。——但是，在交流电流的“过零点”，可控硅就会关断的。
4、可控硅能否安全，主要是告保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。
5、单向可控硅在直流电路中，触发导通后只要通过的电流大于最小维持电流，既使断开控制极也一直保持导通状态。
1、可控硅在电路中主要作为开关使用，为栅极和原理施加不同的电压以控制源极和漏极导通，源极一般接电源负极。
2、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
3、可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用，经常应用于交流电路中，由于其被触发时间不同，因此通过它的电流只有其交流周期的一部分，通过它的电压只有全电压的一部分，因而起到调节输出电压的作用。
4、可控硅可以并联也可以串联使用，可以用作调压电路，靠改变导通角来调节输出电压，一般附带着整流的功能。可控硅也可以用来做开关，由不同的电路来组成。其工作原理是通过改变触发极的电压，来决定阴极和阳极的导通程度。
1、把可控硅的触发极断开，上电后可控硅再导通，是可控硅坏了。上电后可控硅不导通，触发电路有故障。
2、不知道你是在什么情况下量的，如果没接入负载量的，应该属于正常的因为有RC通路。如果接入负载，而且负载正常运行，说明可控硅或者前级光电开关有损坏，你可以断开可控硅的控制极看负载是否运行来确定可控硅的好坏。
3、你好：——★可控硅是电机电源的控制装置。接通电源、洗衣机电机就转，最大的可能就是可控硅击穿（较常见的故障），所以不受控制。
4、负载是什么？你说的导通只是表测跟零线有220V？还是负载已得电工作了？这不科学，即使是导通状态，下一个过零点到来后也会自动断开的，除非触发脉冲还有。或者可控硅已击穿。
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