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可控硅的3种触发方式:强电触发:采用MOC306MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。 采用触发二极管电路与这种结构相似。
这种能移动触发位置的电路就是移相触发,最简单的是单结晶体管触发电路。可控硅不能直接调节输出电流,只能通过改变输出电压间接调节电流。过零触发:在设定时间间隔内,改变晶闸管导通的周波数来实现电压或功率的控制。
将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接,就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。
可以用直流触发可控硅装置。电压有效值等于U等于开方{(电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻)加上(派减去电阻的差除以派)}。电流等于电压除以(电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值)。
可控硅的触发是门极加上对阴极为正的触发脉冲,触发脉冲的产生是用BT3BT35等双基极二极管组成的张驰振荡器,不是三极管。
三相可控硅触发原理是指,当电流通过三相可控硅时,由于硅的特性,它会产生一个电压,这个电压会触发三相可控硅的内部晶体管,从而使三相可控硅的输出电压发生变化,从而控制三相电机的转速。
可控硅的移相触发:可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通,在可控硅交流调压电路中,改变触发脉冲相对输入交流波形的位置,可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
如图,如果是在刚刚过红色箭头处触发,则为过零触发,触发信号起始点之后的几乎整个半波是全导通的状态。
过零触发是在零电压或零电流关断,主要是为了降低功耗,延长使用寿命.移相触发是通过调速电阻值来改变电容的充放电时间再来改变单结晶管的振荡频率,实际改变控制可控硅的触发角。就是触发控制方式的不一样。
移相触发是可控硅控制的一种方式,其是通过控制可控硅的导通角大小来控制可控硅的导能量,从而改变负载上所加的功率。特点控制波动小,使输出电流、电压平滑升降。可控硅触发有两种方式,一过零触发,二移相触发。
硅碳棒是变阻性负载,随温度变化电阻会变化。一般是低电压大电流工作,电压过高老化的很快。过零触发就是脉冲电压,会造成硅碳棒过快损坏,可控硅损坏。
1、三相通用型可控硅触发器是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器,其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。
2、强电触发: 采用MOC306MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。 采用触发二极管(DB3)电路与这种结构相似。
3、可控硅本身开路,触发信号不能使可控硅导通。电网电压全加在触发器上。正常情况,可控硅导通,电网电压由负载承担。
4、过载,负载电流太大,超过可控硅的最大电流。2 输出电路,短路或者接地。3触发电路失控。
5、一般用可控硅来进行移相控制,即利用改变可控硅的触发导通角来达到改变输出电源的目的。可控硅触发器的输出信号一般是相位可变的具有一定幅值、一定脉宽的脉冲信号。
6、温度控制器相当于人的大脑,它去对比设定值与被测值之间的关系,从而判断自身输出还是不输出信号。
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