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国产塑料封装三极管主要封装形式 微型三极管主要封装形式 进口三极管主要封装形式 贴片三极管主要封装形式 三极管三个电极的电流 无论是PNP型三极管还是NPN型三极管，3个电极电流之间的关系相同，但是各电极电流方向不同。
MOS管的内阻比较小，并且是驱动电流比较小三极管的内阻都比较，驱动的电流相对比较大。国产的MOS很多参数都是虚标的，很多都达不到标称值，所以很容易烧掉。
目前，国产的很少，都不是国产命名的型号，国产的3DG12，3DD15，3AD30等，2S是日本的，2N是美国的。
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例。 三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。
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极间反向电流越小，三极管的稳定性越高。三极管反向击穿特性： 三极管是由两个PN结组成的，如果反向电压超过额定数值，就会像二极管那样被击穿，使性能下降或永久损坏。
DG54A～NPN型硅材料高频小功率三极管。
功率管分为大功率管和小功率管。一般PCM（集电极耗损功率）大于1W的叫大功率管如国产的3DD和3DA型的和日产的2SD和2SC管子。PCM小于1W的叫小功率管。如3AX和3DG型的管子。有的较好的电路有CMOS场效应管做功率放大管。
在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，其型号可拆分为三部分：第一部分的3表示为三极管。
在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下：第一部分的3表示为三极管。
第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
1、常用功率放大三极管很多.国产型号有3DD..，3DA..开头的。如3DD15C.其中3DD是低频大功率管.3DA是高频大功率管.由于我国引进的生产线大部分是日本国家的。大部分是日本型号2SC或2SD开头的。
2、DG12B，3AX31，3DX204都是以前常用的国产三极管的型号。3DG12B硅NPN高频中小功率管；3AX31锗PNP低频小功率管；3DX204硅NPN低频小功率管。第一位：2表示二极管；3表示三极管。
3、DG8，是国产NPN型高频硅三极管。这种三极管属于金属封装的小功率管，已经不生产了。你可以使用常见的塑料封装高频硅三极管代用。如：9018等。S9018硅高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。
4、这两个都是国产晶体管的型号，3AX54A是低频小功率pnp型锗晶体三极管，3DG54A是高频小功率npn型硅晶体三极管。
1、都是硅管，一个npn型，一个是pnp型，两个参数基本相同属于中高频管，长用作差分对管。
2、楼上正解，还可以从型号上区别，国产的以3A**、3B**开头的三极管，以2A**、2B**开头的二极管都是锗管。以3C**、3D**开头的三极管，以2C**、2D**开头的二极管都是硅管，现在硅管很普遍，锗管较少。
3、当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。
4、区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。
5、) 若测的三极管的集电极对地电压Vc接近零（硅管小于0.7V，锗管小于0.3V），则表明管子处于饱和状态(开关闭合)。
6、晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种：锗管和硅管。
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