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饱和对应的是发射极正偏，集电极也正偏的状态。集电结内电场对基区内非平衡载流子吸引力下降，IC随VCE下降而减小，同时集电结正偏， IB增大。IC只和VCE有关。
三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含Ic为零的情形）。
三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加，三极管饱和后C、E 间视为短路。
基极电压是低于电阻（负载）电压的。因此就不能说：“直接把基极电压直接供给负载”。基极电压只起控制作用。问题补充三极管工作在饱和状态，首先是否由放大状态进入饱和状态的。
所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。
某三极管有A、B、C三个电极，各电极的电位分别为Va=-4V、Vb=-3V、Vc=-8V，……答案是：B.基极、发射极、集电极 ；且为PNP型硅管。
1、VE=0 ，VC=VCC说明三极管是截止的，RCRE里面没有电流没有压降所以在发射极测量电压是地线零电位，在集电极测量的是电源电压。既然三极管是截止的说明只有基极没有偏流时才能截止，所以RB1开路导致基极无电流、三极管截止。
2、三级管分两种，PNP和NPN。一般常用的多数是NPN型的。三极管分三个电极：集电极（c），基极（b)，发射极（e）。
3、你提出的“E极的掺杂浓度高，BE间的电阻就小”。
4、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。
5、基极电压是低于电阻（负载）电压的。因此就不能说：“直接把基极电压直接供给负载”。基极电压只起控制作用。问题补充三极管工作在饱和状态，首先是否由放大状态进入饱和状态的。
交流信号的正半周与三极管基极偏置电压是“正+正”，所以基极电压升高，基极电流变大，集电极电流也变大。交流信号的负半周与偏置电压是“负+正”，所以基极电压下降，基极电流变小，集电极电流也变小。
三极管正常工作时，需要建立一个静态工作点，也就是要用直流电源建立正确的工作电压（加直流偏压）和工作电流（静态电流）。所以要先将交流电源进行整流稳压后得到直流电源向三极管电路供电。
三极管工作时必须有直流电源供给能量，同时工作于小信号放大的三极管还要求直流电源的电压稳定，这样可以减小失真。很明显，这时的三极管在交流电路中是没法工作的。
三极管的开关过程和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此，饱和与截止两种状态的转换也需要一定的时间才能完成。
1、正确理解应当是：掺杂后，空穴（或自由电子）浓度增大，它们在同样外电场的作用下产生更大的电流，也就是说，显示为更小的电阻。但是，要注意，这是在反向电压下产生的漂移电流。也就是说：掺杂浓度越高，反向漏电阻越小。
2、三极管的集电极和发射极之间的电流是受基极电流控制的，基极的电流大，这个电流就大，当然这是在三极管未饱和的情况下。
3、三极管也可以在负电压下工作，比如PNP性三极管可以集电极通过负载连接负电源，发射极通过负反馈电阻接地，这样就会出现-11（集电极），-6（发射极），-7（基极）这样的电位关系。
4、(b)三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。
5、答案应该是B、0.03mA，流出三极管，C、E、B。因为三极管三个电极的电流，发射极电流最大，基极电流最小，集电极电流居中。图中中间电极的电流最大，所以是发射极E，而左边的电极是集电极C。
6、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
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