行业资讯
1、通道的高速光耦很少，ACSL-6400算一颗。几十块钱一颗。而便宜一点的有双通道高速光耦，比如PC4D10，。
2、时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。
3、可以用光耦817来替代，光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(HVAC)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。
4、这是因为当CTR50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流 (IF0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。
5、完全可以，如果NEC2501比LTV817A卖的便宜的话，一般是2501会比817贵点吧。817A的业内CTR Rank应该是80~160，你的2501没有标识等级。一般分 L K Bin两种。
6、、价格：6N137目前是最常用的高速光电隔离器件，人民币约合3块左右；ADuM1201是ADI于2003年推出的隔离器，人民币约合4块左右/通道。
可控硅具有关断周期，而IGBT可以随时关断，这就是它的优势。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。
在功率要求下，电压一定时，电流就要相应变大。而全桥整流内部二级管承受不了大电流，有可能会击穿二级管。而可控硅的整流输入谐波会比较大，就算是加上输入滤波器，也是在3%~10%之间。
1、两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
2、大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。
3、IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。IGBT电炉真的比可控硅电炉节电吗？我们通过以下计算，就可以看出是否节电。
4、由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
5、② IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。
可控硅的工作原理：双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可控硅整流的原理如下：可控硅整流的晶闸管T在工作过程中，阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。
IGBT是高频整流。IGBT比可控硅的优势就是对市电干扰比较少，相对可控硅来说IGBT不是特别稳定，这也是常说的工频机和高频机的差别。其实现在都差不多，看个人喜好。
IGBT是新型开关器件，开关速度快，加控制信号导通，去掉控制信号截止，控制方便，导通压降低，功耗低。IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。
关键词：igbt整流和可控硅整流 光耦 可控硅 igbt和可控硅
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