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三极管vce的简单介绍

发布时间：2023-09-14
阅读量：33

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三极管中vbevce是什么意思

Vbe是指三极管基极和发射极间的电压 Vce是指三极管集电极和发射极间的电压 Q代表静态工作点。Vbeq和Vceq就是静态工作点的基极-发射极电压和集电极-发射极电压。Vbeq一般约为0.7V。

三极管的C-E电压，指的是电路中这两个电极间的电压值，参数表里提供的是最大值，超了就损坏的值。VC VB VE的电压值跟三极管的工作状态有关，参数表里只提供额定或者极限电压值，只要不超过这个值管子就不会损坏。

在这里，Vce(sat)是指达到饱和区所需的CE间最小电压值。Vbe(sat)：BE间的电压决定Ie的大小，就像自来水的水阀，Ie与Vbe成e指数关系，一般情况下Vbe视为常量，若强行增大，则Ie成指数增长，三极管就烧了。

Vce——C、E间电压，sat——饱和（saturation），因此Vcesat指饱和时集电极-发射极之间的电压。同理Vbesat指饱和时基极-发射极之间的电压。

Vcb是指C极和B极的反向耐压，这个和三极管型号有关 Vbc这个是B极和C极的正向压降，0.5~0.7V这个参数很少用到 Vbe就是经常使用的放大偏置压降。0.5~0.7V Vce是指整个三极管的耐压。

小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?

深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。

你测出的电压是对的，如果电流不是非常大，对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右。

实际上三极管的饱和电压不可能真的到零，总有一个压降存在，对于硅三极管，当进入深度饱和状态时，饱和压降约为0.3V。如果C-E之间的电压再低，三极管的集电极电流就会减小。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

三极管的三种状态

三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。

三极管的三种工作状态分别为截止状态、放大状态、饱和状态。三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。

三极管工作状态主要有三种。截至状态。当三极管发射结发生反偏，集电结发生反偏时，三极管的工作状态就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。放大状态。

三极管有三种状态 截止 放大和饱和三种状态，在数学电路中用的最多的就是截止和饱和 相当于开关跟关 主要通过multisim来仿真 直观的实现这个电路状态。

三极管vce短路会出现什么情况?

1、如果T2的CE短路，相当于T1的CB短路，会造成T1导通饱和，输出电压不受任何控制，完全与输入电压相同。

2、在饱和状态下：NPN型E极接0V C极接电源+，就会击穿。

3、三极管各脚间存在正反向电阻，正向电阻小，反向电阻大。如果测得脚间的正反向电阻都很小，即可视为已击穿短路。需区分的是，锗管用R×100档，硅管可用R×10K档测量。

4、C为集电极，E为发射极，B为基极，三极管工作原理是给B极一个驱动电压，当这个值达到控制作用时，C极就和E极连通，相当到接在了一起，也就是“短路”状态了，还有一种可能，就是三极管击穿时CE就短路了，说明坏了。

5、可能是反向电压过高造成集电结击穿，或者是三极管工作时集电极电流过大超过集电结最大允许功耗因而烧毁了集电结。

6、一般情况下，并不会出现什么所谓的后果。在基极和集电极短路的情况下，三极管饱和导通。也就是说发射极输出的电流达到饱和。如果这时电路中没有有效的限流设置的话（电流大于三极管所能承受的最大电流），会烧毁三极管。

在三极管电路分析中,VbeQ和VceQ是什么意思?

vceQ是在静态工作点时候的集电极发射级之间的电压，他是根据电压回路方程式得到的，这个方程式：VCC-VCE-ICRC=0。VBEQ是基极发射级之间的结电压，一般在0.7伏左右。β是三极管的电流放大系数没有什么可说的。

VbeQ，就是三极管在静态工作点Q处的b极和e极间的电压，VceQ，就是三极管在静态工作点Q处的c极和e极间的电压。

基极电流：IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb 集电极电流：IC=ICQ=βIBQ 集-射间电压：VCE=VCEQ=VCC-ICQRc 　动态(vi≠0)分析：放大电路对信号的放大作用是利用三极管的电流控制作用来实现 ，其实质上是一种能量转换器。

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明三极管放大电路的基本原理。

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明三极管放大电路的基本原理。三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。

你这里说的下Q指的是静态工作点，也就是没有交流信号输入时电路的电压和电流，是直流量，当没有交流信号输入时，VBE等于VBEQ。

三极管在饱和区时Vce为多少?

1、ib=(12-0.7)/10=17毫安，由于基极电流足够大，理论上ic=50*ib=511ma。三极管处于饱和状态，uce=0.2~0.3v，由于r1大于r2，实际ic最大值为：（12-0.3）/47=0.25毫安，。

2、首先明确一点三极管饱和导通时候Vbe=0.7V，Vce=0.3V，因为β会随着温度、湿度等发生变化，所以这里假设β=100，方便计算。那么Ic max=(5V-Vce)/R1，先根据负载确定IC上需要的电流确定R1是多少。

3、“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。

4、估计2搂不是电类专业的，“Uce0.7V就是饱和“是火星人的三极管吧，饱和电压pnp：vce-0.3v ；npn：+0.3v 临街饱和：发射结正偏，集电结刚好达到正偏（不是Vbc0，而是Vbc=Vbc(on)，NPN硅管Vbc(on)=0.4V)，。

5、因为VB=5伏×100K/100K+100K=5伏，所以基极电流IB是很大的，具体有多大在这个电路中没法详细计算，因为基极电压5伏扣除0.7伏等于8伏直接作用在BE结上面，没有限制电流的电阻。

6、假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9019012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于2V。

关键词：三极管电路 三极管vce 三极管的饱和 硅三极管

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