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1、参数:Pcm=1W,Icm=5A8550是韩国管。
2、是现在常用的NPN型硅三极管,其耐压值为25V,Pcm为1W,Icm为1,5A。若作为电子开关使用,该管可以通过1,5A的电流,不过,此时饱和压降很大,并且发热较严重。
3、,9013三极管最大电流是300MA,8550,8050最大流电是1500MA。一般驱动电流是400MA,启动时的电流应该有800MA左右。用8050和8550还免强一点。用9013是不可能的。
4、极性:8050是NPN型号三极管,8550是PNP型号三极管。这意味着在电路中,两者的极性相反,具有不同的电流流动方向。
1、三极管没有最小电流或电压的指标,只要能导通就可以。
2、S8050是一款小功率NPN型硅管,集电极-基极(Vcbo)电压最大可为40V,集电极电流为(Ic)0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
3、基极电流至少应该大于Ic/β,为了确保饱和导通,应该再大50%的基极电流。至于基极电压,倒是永远在0.7V上下。例如用来开关100mA的电路,管子β=100,基极电流应该大于1mA,至少要取5mA以上。
4、最大集电极电流(A):0.5 A。最大集电极-发射极电压(VCEO):25。特征频率:150 MHz。PE8050 硅 NPN 30V 5A 1W。3DG8050 硅 NPN 25V 5A FT=190 *K。判定三极管集电极c和发射极e。
5、是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。
6、是现在常用的NPN型硅三极管,其耐压值为25V,Pcm为1W,Icm为1,5A。若作为电子开关使用,该管可以通过1,5A的电流,不过,此时饱和压降很大,并且发热较严重。
如果通过R2的电流乘以8050的放大倍数,大于或等于灯的电流,即为开关状态。即可以完全导通。实际上加在灯上的电压不可能是24V,是24V减去三极管的压降电压0.7伏。
P0~P2需要加上拉电阻吗? 一般是要加的10K就可以。查看你使用的单片机的引脚电流驱动能力如:5mA.那么与三极管接时需要串连得基极电阻的阻值大小必须小于5mA,也就是说电阻最小1K ,建议取6K。
对于图中电路的参数设计,首先要查到三极管s8050的主要参数,如最大耐压25V,最大集电极电流5A,不加散热片最大耗散功率850W,电流放大倍数HFE在40 到300之间。
如果做为电源开关,那么建议用S8550,PNP管接成集电极输出(或者叫共发射极),基极电阻的选取与输出电流有关,我一般基极电流取输出电流的1/30,因为要达到三极管饱和,不能用手册那个Hfe参数。
第3 问的原因是:S8050不是大功率管,Ic200mA发热很正常,但是,温度的高低与环境及通风等条件相关的,加强通风能解决。要想“让三极管深度地饱和”,把发射极负载改为集电极负载,改小基极电阻就能实现。
bjt三极管使电流驱动元件,FET管是电压驱动元件。bjt三极管在驱动时,基极总是要吸收一定的电流的,因此是电流驱动元件。FET管是靠电压驱动的,其输入阻抗很大,可以认为不吸收电流,是电压驱动元件。
三极管是电流控制型器件,用较小的基极电流控制较大的集电极电流。场效应管是电压控制型器件。
三级管是电流型控制器件,CMOS管是电压型控制器件。同时用做开关作用时,没太大区别,只是开关电流和开关速度有些差异,具体要看资料才能确定具体参数。
驱动方式不同:电压驱动,输出的电压是固定的;电流驱动,输出的电流是恒定的。对负载的要求不同:电压驱动,严禁负载完全短路;电流驱动,严禁负载完全开路。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管,比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件,这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
例如用来开关100mA的电路,管子β=100,基极电流应该大于1mA,至少要取5mA以上。
是否能达到开关状态,不仅仅要看基极电流,还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β,如果Ic/Ib小于晶体管的β,饱和了,反之不饱和。
PNP还是NPN?如果是PNP基极电压应该在0.7伏关闭(截止),在-0.7开启(导通),如果是NPN型就是相反的。基极输入电流:开启时一般选取1毫安-5毫安即可,关闭时电流为0.三极管放大倍数20以上。
你的要求是要对35V进行通断控制,也就是三极管工作在开关状态。此时,对三极管和电阻的要求非常宽泛,只要取经验数值就足够了,一般对于小功率管,基极电阻控制在基极电流在几个毫安-十几毫安。
三极管的开启电压一般在0.6~0.8V之间,由于基极的电流是非常小的,一般是不以计算的,仅计算集电极或发射极的电流,具体的计算方法要根据电路的参数来确定。
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