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1、就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。
2、二极管导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变。正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
3、意思是,二极管的通电电压。二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
4、二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
5、二极管必须加一定的电压才能导通,小于这个电压不导通,这个“一定电压”叫做二极管的导通电压。例如锗管要0.1V,硅管要0.5V以上。
意思是:二极管的导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。
就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。
意思是,二极管的通电电压。二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
二极管的导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正向特性:在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
二极管正向导通电压锗管约0.2~0.3伏,硅管约0.6~0.7伏,肖特基二极管的正向压降在0.5-0.7V。不同的管子会有差异。
正向导通电压,锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中,电流是一个变化值,所以不存在固定的导通电流值。
.5~0.7v。普通二极管si2极管导通电压的典型值,导通电压约0.5~0.7v。普通二极管si2极管导通电压的典型值约为0.5~0.7v。
1、正向导通电压,锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中,电流是一个变化值,所以不存在固定的导通电流值。
2、二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
3、这个0.7V叫做势垒电压,与半导体元件的耗尽层厚度有关,而具体的数值受半导体生产时的工艺影响,有一定离散性,看二极管的数据手册,这个势垒电压也不是一个固定值。
4、二极管的导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正向特性:在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
二极管的导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正向特性:在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
二极管导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变。正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
意思是,二极管的通电电压。二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向导通电压,锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中,电流是一个变化值,所以不存在固定的导通电流值。
二极管必须加一定的电压才能导通,小于这个电压不导通,这个“一定电压”叫做二极管的导通电压。例如锗管要0.1V,硅管要0.5V以上。
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。
硅二极管正向导通电压为0.5伏;锗二极管正向导通电压为0.1伏。
二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
正向加电压时,如果是P型半导体,空穴参加导电,N型半导体电子参与导电。硅为主要材料制成的二极管,死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管,死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。
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