二极管电流方程（二极管电流方程求导数）

发布时间：2023-09-15

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产生的原因：从半导体材料内部结构看，是外加反向电压在PN结势垒区所产生的反向电场E大于势垒区扩散电荷形成的电场E。，导致了通过PN结的反向漏电电流。势垒区的薄厚，以及所加反向电压的大小共同决定了漏电电流的大小。

问题一：什么是漏电流对于二极管来说，漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下，漏电流指标没有多大意义。

漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下，漏电流指标没有多大意义。

1、二极管反向饱和电流计算公式为Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]。式中t0为参考温度，上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。

2、二极管半波电流计算公式I等于KVD减VTn。根据查询相关公开信息，其中I是二极管中的电流，VD是二极管的直流电压，VT是二极管的阈值电压，K是系数，n是指数。

3、二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同；二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

4、看第二个图，如果流过二极管的电流是Id，二极管阳极电位是Ud，那么，根据基尔霍夫定律，对于阳极节点有：(10-Ud)/30 = Id+(Ud+10)/10；因为二极管是理想的，所以二极管阴极电位也是Ud。

5、由于制作二极管的掺杂工艺不均匀问题，每一个二极管的导通电压和伏安特性曲线都不会完全一致，电流方程是按照大多数二极管平均伏安特性曲线计算的，跟实际的测量值肯定会有出入。

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

二极管电流方程（二极管电流方程求导数）