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可控硅单片机控制（可控硅单片机控制器接线图）

发布时间：2023-09-15
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本文目录一览：

可控硅的控制端电压一般是多少V的?我想用单片机控制能行的通吗?_百度...

V3A电路的总功率是72W。功率并不是很大。可以使用IRF系列的场效应管控制。如常用的IRF630。耐压200V，通过电流最大9A。完全可以控制这个24V3A的家伙。注意要做好散热。

朋友，比如可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，可控硅共有三个PN结，分析原理时，可以把可控硅看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

可以的，可控硅的触发电流不大。需要选择合适容量的可控硅和适当的散热器。

不合理，因为相差太大，控制不稳定，输出波形太尖；而且一旦失控，220V的电压直接加在发热管上，后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。见图，单片机检测交流电的过零点，控制可控硅的导通角即可。

可控硅可控制的电压可以做到很高，比如一千多伏。在日常生活中，用在调光，调速等。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

单片机控制可控硅

1、单片机触发可控硅半波和全波控制如下。单片机控制可控硅的触发。原理结构图单片机控制可控硅触发电路中。选用MCS96系列单片机中的8098型号。通过单片机程序控制可控硅的触发角，达到触发与电源同步的目的。

2、单片机可以控制单向可控硅，对于小功率单向可控硅，控制极电流只要几毫安，电压3到5伏（1伏左右就可开通，注意不要误 触发），单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅，触发电流几十毫安，要加功率放大才行。

3、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

4、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。

5、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。

6、可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右 一般第二种方式比较常用。

用单片机控制可控硅的导通角实现调节交流电压

1、单片机实现时，首先得到交流零点信号，然后采用延时的方式（定时器中断输出或PWM输出）控制可控硅的输出。根据传感器的反馈值来修改导通角度。实现恒定的输出要求。算法多采用PID。在网上找一下，相关的介绍就知道如何处理了。

2、原理很简单，用可控硅的调光台灯电路到处都有，把上边电位器那一部分换成单片机的一个输出端，使用单片机输出PWM信号，即可得到不同的控制电压，以控制可控硅的导通情况。

3、在交流电每次过零点的时候，在0-10ms之间内做个延时，比如在交流每次过零点后延时3ms，3ms后触发可控硅的导通就行。改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。

4、第二。你触发一次，只能保证交流接通半个周期，至交流电压再次过零的时候会关断。所以你必须施加恒定的触发信号或者保证每10毫秒同步地触发MOC3041。---也就是说，这个MOC3041，不具备像寄存器或者D触发器那样的保持功能。

5、这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅 击穿 ，有时候还会串联一个 电感 。

关于用单片机控制可控硅的问题

1、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。

2、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

3、可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右 一般第二种方式比较常用。

4、要想不闪，可以用MOC3041，这个是不带过零触发的，这个可以做到每秒开关100次。50Hz是100个半波，每个半波开始的时候不给信号，延时一段时间，比如5ms，单片机给一个触发信号，可控硅导通直到下次过零的时候自然关断。

如图所示,请问单片机怎么控制seat_heat引脚来达到控制左侧可控硅加热...

1、本电路有2种触发方式，一种利用RC充放电实现的控制，这种控制是使可控硅工作在3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制，使可控硅工作在3象限。

2、用单片机做PWM控制电加热器的加热功率请问控制思路可以这么考虑：加热功率的大小由输出脉冲的占空比决定，占空比大，则加热功率就大。

3、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。

4、一般情况都是继电器控制，如果要精确控制的话，就用可控硅，通过单片机输出PWM波控制电热丝的发热温度，使用数字化的温度传感器（比如DS18B20）测量温度。

关键词：单片机控制可控硅 可控硅的 控制可控硅 可控硅

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