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双向可控硅压降（双向可控硅220v降110v）

发布时间：2023-09-16
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N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S)；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

求教双向可控硅(晶闸管)发热问题

1、可控硅的发热与负载的大小有关系的，负载越重，电流就越大，发热就越严重。

2、电路中可控硅发烫冒烟功率放大，过载能力差，温度升高，散热慢。

3、铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。

4、你好：——★加热丝负载电路中，双向可控硅输出的电流受输出电压控制，符合欧姆定律的。——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。

5、变压器是针对完整的交流波形变压的，可控硅调的是导通角，调压后得到的已不是完整的波形，虽然仍是50Hz交流，但铁损会增加，响声和发热是应该的。

请教高手关于双向可控硅的问题:双向可控硅两个阳极A1、A2有没有区别...

1、对，你讲的不错，是这样。在过零信号检测到后到下一个过零信号来之前任意时间触发都可以导通，但导通角大小会发生改变，灯的亮度就不同。

2、双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A第二阳极A2电流减小，小于维持电流或AA2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

3、可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极中、控制极G三个引脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引脚。

4、从而可以得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式。硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。

5、双向可控硅：可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。单向可控硅：单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

可控硅阴阳两极压降是o.115是好还是坏

1、测试结果若如上所述，则说明可控硅是好的，否则可控硅已损坏。

2、如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

3、测试结果若如上所述，则说明可控硅是好的，否则可控硅已损坏。 中间的小坑是安装时定位用的无特殊用途。 希望能对你有帮助。

4、好的晶闸管将显示高电阻，单位为兆欧值，对于第一次和第二次测量，坏的晶闸管（短路）将显示0欧姆或低电阻2次。测试A和K引脚（反向测试），良好的晶闸管将显示为兆欧的高电阻。

5、可控硅坏，基本上都是短路，很少见开路的。如果用万用表测试阴阳两极，电阻几乎是0欧，就是坏了。

6、短路一下可控硅(+)到可控硅触发极，灯泡会保持点亮状态，这个可控硅是好的。灯泡保持点亮状态下：测可控硅两端的电压值，是可控硅节压降，越低越好；断一下电源线，再接上，灯泡就不亮了，除非再按前面的方法触发一下。

关键词：双向可控硅 可控硅的 可控硅

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