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触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子:如果可控硅两端的电压最大值是311V,而它的控制电流要在15mA以下,你可以大概选个中间值,就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。
单向可控硅触发电路非常多,需根据具体需求选择。上图是其中一种。
单向可控硅的触发电路如图: VTVRC T是电源变压器,初级220伏次级9伏,通过4个二极管组成整流桥全波整流输出9伏直流电压,经过VW稳压管输出6伏给单结晶体管V提供工作电压。RC是单结晶体管的充电放电回路,VT是KP20A可控硅。
注:不用继电器 电瓶在8V开始充电,充到12。8V时充满,(7A的电瓶)这时可控硅触发电路,瞬间输出3V电压就可以了。在12。8V前是0V输出,不过最好不要接地,这样应该节能一点吧。
再把脉冲变的次级并R4接到可控硅的阴极上去(就是电流表的左边),注意脉冲变次级极性。可控硅的触发是门极加上对阴极为正的触发脉冲,触发脉冲的产生是用BT3BT35等双基极二极管组成的张驰振荡器,不是三极管。
可控硅是一种电子元件,它可以用来在电路中控制电流的流动。在触发电路中,可控硅可以用来控制电路的开关状态。可控硅有三个端口:输入端、控制端和输出端。当控制端接受到输入信号时,可控硅就会将电流传递到输出端。
将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接,就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。
可控硅的4种触发方式:强电触发: 采用MOC306MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。
双向可控硅触发电路工作原理:可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
强电触发:采用MOC306MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。 采用触发二极管电路与这种结构相似。
可控硅的移相触发:可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通,在可控硅交流调压电路中,改变触发脉冲相对输入交流波形的位置,可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。
单向可控硅的触发电路如图: VTVRC T是电源变压器,初级220伏次级9伏,通过4个二极管组成整流桥全波整流输出9伏直流电压,经过VW稳压管输出6伏给单结晶体管V提供工作电压。RC是单结晶体管的充电放电回路,VT是KP20A可控硅。
VR\R3\D3\C2组成充电电路 给C2充电 随着时间的增长 C2两端电压升高 当高于双向二极管ZD(一般为DB3,导通电压为32V)导通值时 双向二极管导通 可控硅导通。震动线圈得电。
)触发脉冲的α角是相对某个基准信号而言的。通常此基准信号称为同毕信号,因为它与电网电压是同步的。
晶闸管触发电路的要求:①、触发脉冲信号应具有足够大的电压和电流一般要求触发电压幅度为4~10V。②、触发电路不输出触发脉冲时触发电路因漏电流产生的漏电压应小于0.15~0.2V以避免误触发。
可控硅触发需要的是触发脉冲,不是单一的电压;触发脉冲需要有一定的电压幅值和提供一定的电流,上升沿有一定陡度;触发脉冲需要与主回路同步,施加在控制极与公共端之间。
双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
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