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之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱（一般只有500mA左右的电流）。D14的作用是为Q1和Q4组成的互补输出电路提供开启电压，让QQ4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。
单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。
单片机控制 12V 0.3A的直流无刷电机（风扇） 驱动分为高电平驱动和低电平驱动：电平驱动IO 口 经一个2K的电阻 ，接到一个三极管 b ，风扇正极接 12V+，风扇负极接三极管 c ， 三极管 e接GND (三极管 用NPN 8050 ）。
的就可以了，控制直流电源输出0-12 用L298N驱动芯片就行了，主要得用PWM实现电压控制的。L299N得接个12V的直流电源。我这边有点资料。
MOS管 所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。
驱动+12v的负载，应该使用npn型的三极管。型号可以是8050（可承受的电流很大）、5401（可承受的电压很大）。三极管发射极接地，集电极接继电器线圈的一端，继电器的另一端接12v。
同等功率情况下，mos开关速度快，发热小，更节能。mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
MOS管是电压控制性器件，三极管是电流控制性器件，因此MOS管（ DMP210DUFB4-7B ）更节能。MOS管只有多数载流子参与导电，三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。
MOS管功耗低，三极管功耗大。 驱动能力不同 MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路，三极管常用于电源开关以及小电流地方开关电路。
同等功率情况下，mos开关速度快，发热小，更节能。mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。
功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。三极管比照廉价，用起来便当，常用在数字电路开关操控。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极操控电流比照活络的本地。
d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。
如果采用三极管和MOS管的结合，那么只要把Q2和Q4替换成N沟通的MOS管就可以，因为N沟通的MOS管比较成熟，也比较常见，价格也OK。
对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。
控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
可以中功率对管，B772/D772，价格也不贵。
．栅极驱动部分：后面三极管和电阻，稳压管组成的电路进一步放大信号，驱动场效应管的栅极并利用场效应管本身的栅极电容（大约1000pF）进行延时，防止H桥上下两臂的场效应管同时导通（“共态导通”）造成电源短路。
一般控制直流电机正反转用H桥，H桥由多个功率三极管或功率mos管组成。
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