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对于Re而言,如果把三极管短路,近似等于Rb//Rc与Re分压,即23Ω与10Ω分压,发射极电压约为12V*10/(23+10)=7V,基极电压4V,基极电流(Rb上电流)=(12-4)/100Ω=76mA。
基极电流回路是图中蓝色圈,与红圈没有关系。所以红圈不影响IBQ。因为三极管发射结其实就是一个二极管,所以它导通时两端压降是固定的(硅管以0.7V计),并且电压达不到0.7V就不能导通。所以计算电流就要减去0.7V。
三极管各极电压计算公式:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
基极流过的电流只有Ib,而基极到地的电压是Ube+URe,除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。即Rb=(Ube+URe)/Ib=[Ib*Rbe+Ib*(1+β)*Re]/Ib = Rbe+(1+β)Re。输入端b的等效电阻相当于增大了(1+β)Re。
首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib。
Ib的最大值出现在Vcc接通瞬间,此时的Ib可以这样估算:(之后基级电流将逐渐减小)Ib=(Vcc-0.7)/R3 式中:0.7V是三极管9013的be结电压,求出流过R3的电流,自然就是Ib了。不知说清楚了没有,供你参考。
首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib。
三极管各极电压计算公式:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
因此三极管完全饱和导通,对于Re而言,如果把三极管短路,近似等于Rb//Rc与Re分压,即23Ω与10Ω分压,发射极电压约为12V*10/(23+10)=7V,基极电压4V,基极电流(Rb上电流)=(12-4)/100Ω=76mA。
三极管是非线性元件,在静态的时候不考虑Rbe , 动态的时候才考虑。图中,R111为R1,R112为R2,β=300,则 Ib =(3V-0.7V) / (R1+(1+β)R2) 求得的值太小,感觉不科学。
呵呵,比较难懂。看上去很抽象。但如果你明白了各个量之间的关系,又觉得原来如此简单的问题!因为发射极电流是基极电流的(1+β)倍,发射极电压=发射极电阻*发射极电流。发射极电压也就是发射极电阻上的电压。
三极管的基极电流是由集电极电流控制的,如果基极电流过大,会导致基极电压过高,反过来又会导致集电极电压过低,从而影响三极管的正常工作。因此,三极管的基极电流不能无限大。
基极偏流过大会降低晶体管的关断速度,增加晶体管的功耗。偏流过大可以这么认为,基极电流超过了使晶体管开通并进入饱和状态时的集电极电流与放大系数之比的10倍。
工作点、电流信号大小、工作环境温度成正比。基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极:分别是发射极、基极和集电极。
电流越大,电阻为越小,两者为反比例关系。三级管基极具有电流放大作用。这一作用下条件下电阻会变小,需提供电流更通畅的输入空间。基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极:分别是发射极、基极和集电极。
1、算法:通过负载电流饱和,该基极电流必须Ib=Ic/Beta.。晶体管有不同的增益,因此我们要使用测试版的最低值,以确保饱和。Rb= (VP-VBE)/Ib= (VP-VBE)*放大系数/Ic= (VP-VBE)*放大系数*Rc/VP 饱和。
2、Uce=Uces,即使在饱和状态下Ube ≈0.7v,9019012饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的,电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
3、则 Ib =(3V-0.7V) / (R1+(1+β)R2) 求得的值太小,感觉不科学。Ic=βIb Ie=(1+β)Ib 计算方法就是这样。Uce=5V- Ie*Re, 算得 UceUbe=0.7V 时,则为放大状态;小于Ube 则为饱和状态。
4、另一类是脉冲放大、高速开关电路,对开关时间、响应速度,如何减小存储效应等都很计较,这类电路不能工作于饱和区,称为非饱和电路。针对这两种情形来选择基极电流,先要引入一个过激励系数N,N=HFE*Ib/Ic。
5、使IB(饱和)≧IC(饱和)/β即可。当然要事先知道三极管的β值了。如果你有该三极管的输入输出特性曲线就更方便了,直接查看即可。
6、因为低电平接近地电位,此时基极电流 Ib≈Vcc-Vbe/R13 饱和导通时负载电流 Iz=Vcc-Vces/Rz Vces为三极管饱和压降,通常取1V Rz为电机呈现的电抗值。
1、Uce=Uces,即使在饱和状态下Ube ≈0.7v,9019012饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的,电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
2、是否能达到开关状态,不仅仅要看基极电流,还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β,如果Ic/Ib小于晶体管的β,饱和了,反之不饱和。
3、事实上这个电阻可以小一些,保证不烧坏单片机的情况下取5K,这时基极电流为7mA。
4、从电压上描述是:三极管发射结正向偏置, 集电结零偏置或正向偏置;Ube ≈ 0.7 V,Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是:基极电流乘以放大倍数大于集电极电流:Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc,电源电压除以集电极电阻。
5、当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定,饱和电流的大小与三极管无关,一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。
6、基极电流IB增加到一定程度后集电极IC也不增加了 。当流过三极管基极的电流多大时,饱和: 这个看你具体要放大多少倍来选取(集电极到供电电源)或在(发射极与地)之间接的电阻大小。
三极管各管脚电流:集电极最大,基极最小,发射极和集电极电流相接近。三极管是一种电流放大器件,可制成交流或直流信号放大器,由基极输入一个很小的电流从而控制集电极输出很大的电流。
三级管基级电流最大500MA。根据电子发烧友论坛的三极管SS8050基极可以通过的最大电流的帖子可以得知三级管基级电流最大500MA。所以三级管基级电流最大500MA。
不是的,基极电流大伴随着基极电压上升,基极电压达到一定数值以后,三极管饱和导通,你说的那是在线性放大区,到了饱和区,基本上电流再大也不会使集电极到发射极有多大变化了。
以保证喇叭能够正常发声。总之,三极管的基极电流不能无限大,需要在合适的范围内进行设置。同时,接入喇叭时需要根据喇叭的工作电压和电流来确定三极管的工作电压和电流,以保证喇叭能够正常发声。
三极管基极电阻越大,流过基极的电流越小,发射极与集电极的导通电阻越大,反之越小。让三极管截止的最好办法就是没有基极电流。
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