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解：你的理解有误，输入电阻中已经考虑了Re和 Rc的值。最终：Ri=Rb1∥Rb2∥Ri。其中，Ri=rbe+（1+β）RL。在其中，RL=Re∥Rc。
求外电路的等效电阻就不算电源内阻；求全电路的等效电阻就要算电源内阻。
首先明确晶体管的三个端口（假设不考虑mosfet的衬底端口 ）与小信号模型的对应关系。
它是根据输出电阻=输出电压/输出电流，来确定Ro的。上一张图的等效电路有两条支路，又不知道输出端的电流，就采用从输出端看进去的电阻=(1/gm)//Rs。下面那一张图没有支路，输出电压/输出电流=RL。
电阻和电流源是简化的三极管的模型电路，共射时，等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示，电阻是射级和基极的结电阻，电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib，其它照画。
把放大区微分成很多小段，Q点临近的小段可以近似看做是线性。这样，就有很多个小段的等效电阻，就是微变电阻。当工作点Q确定以后，可以直接用电阻来等效。
1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
2、首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。
3、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
4、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。
目前流行的MOS管模型大致可分为两类，一类是基于阈值电压（Threshold Voltage-based）的模型，典型的代表为BSIM3和BSIM4，大家可以参阅Razavi的课本。它的一个典型特征就是阈值电压是Vsb的函数，以此来刻画体效应。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如MOSFET、SIT；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。二： 高频化、集成化、标准模块化和智能化是电力电子器件未来的主要发展方向。
CMOS传输门结构：它是利用结构上完全对称的NMOS晶体管和PMOS晶体管，按闭环互补形式连接而成的一种很巧妙的线路结构。
1、MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管 ，N沟道耗尽型 管；P沟道增强型管 、P沟道耗尽型管。
2、MOS1：一级平方律模型。—— 只考虑了MOSFET的基本性能；适用于长沟道、低精度的情况。MOS2：二级分析模型。
3、而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。
4、，电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。2，P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高。
5、GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好。GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
6、MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。
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