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三极管的发射结和集电结都反向偏置。例如NPN型,只要VcVb,VeVb即可,一般要保证其可靠地截止,需要Vb电压小于等于零。
静态情况下: 基极电位若高于发射极电位0.65V,且高于集电极电位,即集电结与发射结均处于正向偏置时,晶体管处于饱和状态。 基极电位等于或低于发射极电位,即发射结无偏置或反向偏置时,晶体管处于截止状态。
只有当发射结、集电结均反偏时,三极管才算处于截止状态。可能是你看书不够细心,书上没有任何地方表达过Ie=0表示三极管处于截止区。
三极管的三种工作状态分别为截止状态、放大状态、饱和状态。三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态。
半导体三极管有三种工作状态:放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后,Ic=βIb,晶体管具有电流放大作用,处于放大区,发射极处于正向偏置,集电极处于反向偏置。
1、如果在基极与发射极加入一定的电压后,集电极与发射极截止(不导通),则这种基极电压就称为反偏电压,这种状态被称为三极管反偏,或基极反偏。正偏、反偏是对于PN结而言的。
2、所谓正偏反偏,是针对PN结而言,如果P区比N区电压高,则正偏,如果N区比P区电压高,就是反偏。
3、所说的反向截止,就是在PN结的P区加低电位,N区加高电位,PN结就会截止,对于三极管来说,不管是什么型的,不管是哪个结,只要P区加上低于N区的电位,就为反偏。
4、晶体管电路中的正偏、反偏、偏置等术语都是外来语翻译的,不宜过多的顾名思义。在二极管(PN结)的正极(P极)施加一定的正电压,二极管就导通,这时就称为正向偏置,简称正偏。反之就为反偏 。三极管同样如此。
5、题目中,三极管的类型已经从发射极的箭头表明了。箭头指向基极的,是PNP型晶体管;箭头从基极出来的,是NPN型晶体管,这个比较简单,应该学过的吧。
6、正偏和反偏是针对PN结而言的,所谓正偏也就是指外加电压的正极加在P区,负极在N区。反偏就相反。对于三极管,它的状态与两个结的正反偏有关系,比如发射结正偏,集电结反偏,三极管就可以处于放大状态。
1、还有一个参数是三极管电流放大系数β,也要考虑,既不能太小使放大器增益不够,也不能太大使放大器不稳定。一般取几十-几百倍。如何选择三极管的型号 只要参数有以下几个:最大反向耐压:BVCEO 也是管子的极限参数之一。
2、三极管使用原则最主要的有:1,耐压大于电路实际电压的峰值几倍以上以几倍最实用。2,电流大于电路实际电流的峰值几倍以上以几倍最实用。3,频率大于电路实际频率的峰值几倍以上以小几十倍最实用。根据原则选管型号。
3、基极电阻要根据三极管的Hfe来算,同时必须满足饱和导通的条件。建议你选用的三极管Hfe最好至少大于100,基极电阻在2K到3K左右适当选取,不能大了。
4、三极管不等于俩二极管,你的推理的出发点不正确。反偏的PN结之所以不导通,因为集电极加负电压,而基极N型半导体中没有正的载流子(空穴),集电极不接受负的载流子,所以基极电流不能与集电极相流通。
5、是的,只要耐压足够、管子的功率足够,是可以在300V直流输入都能进行恒流的。管子可以使用耐压相应的场效应管,使用场效应管要比三极管更好些。在这个图中可用场效应管直接替换。
6、mA用一个三极管即可,2SC1815或9013均可,RR4扔掉。
1、电子技术上说的偏置是指:将电路中某点施以一定电压,使这一点上的电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位点。偏置就字面意思就是偏移放置。
2、在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏,三极管交替工作在饱和区和截止区。
3、三极管正向偏置是说在三极管的输入电压,基极和发射极之间加入工作电压,使三极管可以正常工作起来。
4、正偏反偏的意思正偏是指PN结加正向电压,反偏是指PN结加反向电压。正偏就是正向偏置,其实三极管的构造是PN结,二极管的构造也是PN结,二极管P接高点位,N接点位的时候会正向导同,三极管里就叫正偏。
5、三极管的偏置家原理是指,当三极管处于偏置状态时,它的电流和电压之间存在一定的关系,这个关系可以用一个偏置家来表示当三极管处于偏置状态时,它的电流和电压之间存在一定的关系,这个关系可以用一个偏置家来表示。
6、晶体管电路中的正偏、反偏、偏置等术语都是外来语翻译的,不宜过多的顾名思义。在二极管(PN结)的正极(P极)施加一定的正电压,二极管就导通,这时就称为正向偏置,简称正偏。反之就为反偏 。三极管同样如此。
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