mos管功耗（mos管功耗计算实例）

发布时间：2023-05-24

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如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

法则之一：用N沟道orP沟道选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。

MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

1、还有压缩机，指的是活塞式压缩机，不管你转速快还是慢，活塞受到的阻力都是一样的，这也是恒转矩负载。除非压缩机的压力变了。恒功率负载就是消耗的功率不变的负载，这样的负载在自然界中不是经常见到，好多是人为制造的。

2、恒转矩，指不管什么负载，或轻或重，转矩都保持恒定，即不受负荷轻重而改变。恒功率负载，指不管负载轻重，设备的输出功率恒定，那转矩就只好变化啦。

3、恒转矩负载的特点是负载转矩与转速无关，任何转速下转矩总保持恒定或基本恒定。应用的场合比如传送带、搅拌机，挤压机等摩擦类负载以及吊车、提升机等位能负载。

4、而与转速无关的负载称为恒转矩负载。a.这类负载多数呈反抗性的，。这类负载有金属的压延机构，机床的平移机构等。b.还有一种位势性转矩负载。起重类型负载中的重物多属这类负载。

mos管功耗（mos管功耗计算实例）

1、从根本上说，MOS管比三极管只有一个优势，功耗低。其它的方面，双方各有优缺点，但不是很关键。

2、MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

3、超高集成度的电路如CPU都只能用MOS电路。三极管是电流驱动部件，需要前极有足够的功率驱动，大多数电路都适用，偏置反馈电路比较简单。小功率超高频微波领域适用。使用历史悠久，运用电路广泛。调试比MOS电路容易。

4、简单的说三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。

5、运放有的用三极管有的用MOS管；基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。集成运算放大器是一种具有高电压放大倍数的直接耦合放大器，主要由输入、中间、输出三部分组成。

功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

mos管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

功耗（PD）：125W 二极管正向电压(VSD)：5V 最大脉冲正向电流ISM：48A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 12N60是TO-220封装系列。