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1、因为通常共栅管负载阻抗高于共源管，当电压减小时共栅管更容易进入线性区。
2、由此得到的结论是，集电极损耗最大不是出现在饱和区也不是截止区。再从开关特性上来讲，我们所希望的开关是在导通状态小导通压降越小越好，截止时漏电流越小越好。
3、饱和区：三极管放大电路中，当Ic增大时，Uce将相应降低。到Uce小于Ube时，Ubc大于0，集电结正偏，所以由基区扩散到集电区的电子，扩散能力下降，也就是说集电结的收集电子能力下降，所以IC几乎不变。
镜像电流源。这种电流源可以外接一个电阻控制电流源的电流大小。现在在集成电路中好多震荡电路都用到镜像电流源。另外，镜像电流源可以控制多路输出。
电流镜是模拟集成电路中最基本单元电路之一，其器件的固有非线性是模拟集成电路中最主要的电磁干扰源。电磁干扰信号使得集成电路中的有效信号畸变，更甚者在集成电路的敏感节点处产生严重的直流漂移，导致电路不能正常工作。
M1，M2两个场效应管，是作为电流镜电路。右侧电流保持跟左侧一样的。
1、发射结面积不同，而其他参数相同时，发射极电流与发射结面积成正比。
2、第一个不知道，结面积大结电容肯定会变大，结深应该相反，就像电容的两极拉远。暗电流就类似漏电流了，光电流要看你管子的耐受功耗和电压来定了。
3、当然不行了，这样的话会使得集电极到发射机的电流过大，容易击穿而且温度会很高使得基极与发射机之间击穿。这是经过多次教训得的结论。
4、三极管就是利用不对称来工作的。集电区掺杂密度小，面积大，集中载流子。发射区掺杂多，导电性好，吸引电流从C来很容易透过B，发射出去。
1、静态工作点算法：首先要画出直流电路图。画法时：所有的电容开路，电感短路，输入信号源短路。主要目的就是求出ID，可以根据下面的电流镜来求，就本例来首ID就是I.然后就可以求出VGS 和VDS。
2、然后在输出曲线中根据输出端的负载情况列出支流方程并画出直流负载线的草图，根据作出的草图大致的估计静态点Q在合适位置（在放大区的中间）时静态电流IB的估计值。
3、静态工作点是直流负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点。随IB的不同而静态工作点沿直流负载线上下移动。根据式Uce=Ucc-RcIc，在Ic/Ucc图上画出直流负载线，再画出在IB情况下的晶体管输出特性曲线，交点即静态工作点。
4、c-e 间电压 Uce称之为静态工作点Q，常将Q点记作IBQ、ICQ(或IEQ)、UBEQ、UCEQ。2，静态工作点的作用 1)确定放大电路的电压和电流的静态值 2)选取合适的静态工作点可以防止电路产生非线性失真。
特点： (1)转换电路生成频率信号，可远距离传输不受干扰。(2)具有较高的灵敏度，可以测量高至0.01μm级位移变化量。(3)但非线性较差，可通过鉴频器(频压转换)转化为电压信号后，进行补偿。
电容式传感器的工作原理基于电容这一物理量的变化，当被检测物理量丝毫变化时，有可能会导致相应的电容值发生变化，这种变化一般可通过实验或者计算来获得。因为其基于电容量的变化来进行物理量的检测。
它的工作原理是，将一个电容器放置在一个封闭的容器中，当容器内压力变化时，电容器的容量也会发生变化，从而导致电容器的电容量变化，从而改变电容器的电容量，最终改变电容器的电容量。
电容式传感器工作原理--简介 电容式传感器是一种把被测的机械量转换为电容量变化的传感器。它的敏感部分就是具有可变参数的电容器。电容式传感器可分为极距变化型、面积变化型、介质变化型三类。
不是同一个三极管的基极和集电极吧，应该是一个三极管的基极和另一个三极管的集电极相连，这个三极管的基极再连回那个三极管的集电极吧，这个是用来存储逻辑状态的。
三极管是有两个P-N结组成的，二极管只有一个P-N结，所以，三极管的发射极与基极之间就是一个P-N结、他就是一个二极管。不用将基极与集电极相接！将集电极悬空或剪掉都一样。
这是一个单键触发开关电路。他的功能相当于一只单向可控硅的功能。在某些低电压场合、单项可控硅无法正常工作时使用。
如你所说，这两个三极管是完全并联了的，但通常不会这样用，你肯定看走眼了。你可以自己学着画出电路图来，先不管那些元件画成七歪八倒的，尝试过了，你就有信心了。
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