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1、用理想的电路元器件代替实际的元器件构成的电路称为电路模型。（）电路的三种工作状态分别是负载状态、开路状态和断路状态。（）电压的参考方向（正方向）由人为规定。
2、作用不同：信息电子技术以信息处理为主，器件针对的也是信息技术处理为主。电力电子技术器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率。
3、理想的电力电子器件应具特点 晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
4、电力电子器件是用半导体做的高速电子开关，其开关的速度远远高于机械开关，高的可以达到3MHz（也就是每秒钟开关3百万次），普通的也有几千次或者几万次。而机械开关，无论如何达不到这么高的开关频率。
5、电力二极管：结构和原理简单，工作可靠。晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
6、电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数。 1IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下隆，开关速度小于电力 MOSFET1按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。
1、现在电气隔离的方式有很多种，常用的有变压器隔离、光电隔离、机械式等。
2、电力电子主电路的能量比较大，会产生较强的电磁干扰，从而影响控制电路的正常工作，造成误触发，所以要采用电气隔离的方法来排除干扰。
3、光电耦合器隔离 这种隔离方法是用光电耦合器把输入信号与内部电路隔离开来，或者是把内部输出信号与外部电路隔离开来。
4、电力电子设备，大多是中高压系统，有些甚者高达6000VAC。变压器隔离驱动，使弱电控制回路，跟高压强电回路实现电气隔离。
5、根据百度资料查询，变电站常用的开关量的隔离方式有是光电隔离，光电隔离是由光电耦合器件来完成的，其输入端配置发光源，输出端配置受光器，因而输入和输出在电气上是完全隔离的。变电所，顾名思义，就是改变电压的场所。
6、隔离放大电路中采用的隔离方式主要有：变压器隔离，根据电磁感应原理，通过变压器进行电气隔离。光电隔离，根据光电效应，通过光电管进行电气隔离。
机械开关：开关因为触碰有误差，可靠性相对较低，精度较低。电子开关：没有直接触碰，可靠性高，精度高。寿命不同 机械开关：直接接触，有磨损、有寿命次数。电子开关：硬件损耗小，寿命更长。
机械开关：采用机械触碰方式改变电路的通断。比如墙上电灯开关必须手触。开关因为触碰有误差、有磨损、有寿命次数。电子开关：采用光电探视、磁场变化判断等方式改变电路通断。
理想的电力电子器件应具特点 晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
特点：电力二极管：结构和原理简单，工作可靠。晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
电力电子器件与理想开关的主要区别在于：（1） 理想开关导通零电阻，而器件存在导通压降，存在通态损耗；且关断后存在反向漏电流，存在断态损耗。
LED开关电源的设计难点是体积和价钱。LED电源首先：1要求一定要横流。2低温低热长寿命。3小体积。4防水防腐防静电。5高频污染。普通电源和低品质LED电源高频污染严重，输出直流即便是加电感和大电容滤波，波形都很复杂。
超大功率晶闸管 脉冲功率闭合开关晶闸管 新型GTO器件-集成门极换流晶闸管 都是的。
大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。
功率：（1）在直流电路中，功率为电压乘以电流，我们约定，在关联参考方向下，给定电路中元件上的电压电流大小之后，计算得到的功率数值大于0时，称元件“吸收”功率（能量），小于0时称元件“发出”功率（能量）。
其中，IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
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