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1、X5R,X7R是EIC标准,表示陶瓷贴片电容的极限工作温度及其电容量变化量允许偏差。\r\nX表示-55℃,5表示+85℃,7表示+125℃,R表示极限温度下电容量的变化量不超过±15%。
2、区别 指代不同 X7R:X7R绝缘组合物,满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器。X5R:X5R绝缘组合物,满足X5R需要的多层陶瓷芯片电容器。特性不同 X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。
3、X5R 这个材料容量可以做大,电容稳定性还可以,适合做大容量电容,适合做大容量电容。X7S一般是耐压比较高的电容用的。
X5R,X7R是EIC标准,表示陶瓷贴片电容的极限工作温度及其电容量变化量允许偏差。\r\nX表示-55℃,5表示+85℃,7表示+125℃,R表示极限温度下电容量的变化量不超过±15%。
X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。X5R:有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。
指代不同 X7R:X7R绝缘组合物,满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器。X5R:X5R绝缘组合物,满足X5R需要的多层陶瓷芯片电容器。特性不同 X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。
贴片电容 全称:多层(积层,叠层)片式陶瓷电容器,也称为贴片电容,片容。英文全称:Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写:MLCC。
X5R,X7R是EIC标准,表示陶瓷贴片电容的极限工作温度及其电容量变化量允许偏差。\r\nX表示-55℃,5表示+85℃,7表示+125℃,R表示极限温度下电容量的变化量不超过±15%。
指代不同 X7R:X7R绝缘组合物,满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器。X5R:X5R绝缘组合物,满足X5R需要的多层陶瓷芯片电容器。特性不同 X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。
NPO温度系数+/-30%PPM,X5R和X7R温度系数+/-15%。贴片电容温度系数是指在一定环境温度范围内,单位温度的变化对电容器容量变化的影响。温度系数有正负两种之分。
X5R,X7R是EIC标准,表示陶瓷贴片电容的极限工作温度及其电容量变化量允许偏差。X表示-55℃,5表示+85℃,7表示+125℃,R表示极限温度下电容量的变化量不超过±15%。
特性不同 X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。X5R:有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。
X5R:有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。
1、指代不同 X7R:X7R绝缘组合物,满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器。X5R:X5R绝缘组合物,满足X5R需要的多层陶瓷芯片电容器。特性不同 X7R:是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。
2、:X7R 这个材料性能不错,电容稳定性也可以,但容量中等偏下,适合做高频中容量电容。以0402为例,从220pF~100nF 3:X5R 这个材料容量可以做大,电容稳定性还可以,适合做大容量电容,适合做大容量电容。
3、X5R,X7R是EIC标准,表示陶瓷贴片电容的极限工作温度及其电容量变化量允许偏差。\r\nX表示-55℃,5表示+85℃,7表示+125℃,R表示极限温度下电容量的变化量不超过±15%。
4、X5R 这个材料容量可以做大,电容稳定性还可以,适合做大容量电容,适合做大容量电容。X7S一般是耐压比较高的电容用的。
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