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rbe的计算公式:rbe=rbb+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。
输入电阻RI=RB//RBE。RBE=200+(1+贝塔)26/IE;其中:贝塔=50,IE=(1+贝塔)×IB=397毫安;(IB=U1/RB=4V/200K=0.047毫安);所以rbe=200+51×26/397=753欧姆。
三极管输入电阻,就是发射结电阻,包括接触电阻 rbb,以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧,小功率三极管,取 300欧。PN结等效电阻 26mV/ibq 。
1、三极管的型号任选一款小功率NPN型三极管即可,即便是小功率三极管,集电极额定电流通常也能满足20mA的要求。假设三极管的电流放大倍数β不低于100,那么R2的阻值选用0.6V/20mA=30Ω,R1的阻值3k~5k就可以。
2、这个电路三极管基极和发射级压降被限制在两个二极管的压降上。DD6 两个二极管的压降减去三极管基极发射级压降,再除以R30 就得到恒流值。
3、Vbe的电压一定,硅型三极管是0.7V,锗型是0.3V,那么R1的电阻知道后,就知道流经的电流时多大,就是你所写的公式 I = Vbe/R1,这个“Vbe”是指下面那个三极管的基极——发射极电压,“I“是R1电流。
4、Q2完成电流恒定;R1是电流取样电阻;Q1完成R1的取样信号放大,给Q2提供负反馈,可以看成Q2的自动可变下偏置。计算时要已知Q2Ic,也就是你要恒定的电流。R1=0.7v/Q2Ic。Q2Ib=Q2Ic/βQ2。
5、Vc1=VCC-R1*Ic1=VCC-R1*[(I3*R3-Vbe1)/R2]其中Vbe1和Vbe2是两个三极管的基极导通电压取0.7伏,RRRVCC已知。
1、方法一:最直接最简单的方法:用220V交流电直接接上,可以先接一极,用另一条电源线碰触另一电容脚。如果在碰触时有明显的不大的火花,就可以肯定此电容有充电,也就是说此电容没坏。
2、一般条件下使用万用表即可。对于微法以上的电容可以使用指针式万用表电阻档通过指针回摆的时间粗略计算出电容容量是否合格,另外若表针不动表示电容断路,若表针指向“零”或不能回到“∞”表示电容短路或漏电。
3、用手动方式把电容器全部切除。手动投入一路,看看补偿柜显示的补偿电流是多少,这个电流就是电容器的工作电流,正常时,应与电容器的标牌上标注的数据相差在20%以内,如果差异超出20%,特别是低于20%,通常就是坏了。
4、判断电容好坏的方法:电容器外壳膨胀或漏油。套管破裂,发生闪络有火花。电容器内部声音异常。外壳温升高于55℃以上示温片脱落。当发现电容器出现以上任一情况,表示电容已损坏,应立即切断电源。
5、电容器的出产本来就很大的质量把关,一般在没有特殊仪表仪器的条件下,电容器的好坏和质量高低可以用万用表电阻档进行检测,并加以判断。
6、用充、放电法判断电容器的好坏 在手头没有万用表时,可用充、放电的方法粗略地检查电容器的好坏。
1、即(12V-0.7V)/R1≥[(12V-0.2V)/Rrel]/β,解不等式可得R1≤13*β*Rrel/18,Rrel为继电器绕组的直流电阻。
2、在Ib=50mA的时候,Vbe=2V,因此上基极需要的限流电阻的数值就等于(3V-2V)÷50mA=36Ω,因此上至少要串联36Ω的电阻,当然大于36Ω的电阻也可以,50Ω,100Ω的也可以。
3、分析主要是判断工作点是否合理,以及计算电压放大倍数、输入输出电阻等。
关键词:电路电阻 三极管电阻 8050三极管 准电容 拉电阻 标准电容 三极管的输入电阻 上拉电阻 三极管恒流电路 电阻 电容箱 下拉电阻 输入电阻
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