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1、三极管三个电极的电流关系为：Ie = Ib + Ic。当他工作在放大状态时，IC 由什么决定：由 Ib 决定。其关系式是：Ic = 贝塔 * Ib。
2、三极管是电流放大器件，如果在放大状态下，基极与集电极电流有固定的倍数关系（取决于三极管的自身参数）；放大状态下，发射极电流＝集电极电流+基极电流。
3、即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。
4、三极管也是集总电路器件，也符合基尔霍夫定理，所以三极管的三个电极电流也满足基尔霍夫电流定理。
5、三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。
截止状态时，基极电压较低，发射极电压较低，而集电极电压较高，此时三极管的电流很小，近似为零。饱和状态时，基极电压较高，发射极电压较低，而集电极电压较低，此时三极管的电流达到最大值。
饱和状态，b极电压0.7v，c极电压0v。
集电极电压大于基极电压大于发射极电压。因为电源电压连接的是集电极电压，发射极电压最小，所以集电极电压最大。NPN一般指NPN型三极管，由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管。
当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。
当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。
由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
另外饱和是不是就是导通？是的，饱和肯定是导通了！三极管在C-E间Vcc=0时可以等效成两个反接的二极管。
：对硅管，PNP三极管基极供电电压为－0.7V，NPN三极管为＋0.7V.2：PNP三级管的正偏指的是基极的电压小于发射极的电压，NPN三极管正好又与之相反。3：NPN三极管也好，PNP三极管也罢，两者都不能用交流电。
在开关电源电路中这个地方的电压是有较高的尖峰脉冲，但在电路中都采取措施来保护，用RC或RCD电路来吸收，使尖峰脉冲消除。
这要看你需要导通的集电极电流ic是多大。基极电流至少应该大于ic/β，为了确保饱和导通，应该再大50%的基极电流。至于基极电压，倒是永远在0.7v上下。
NPN的电压关系：CBE PNP的电压关系：CBE 当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。
求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
NPN管的基极接负电压能使三极管可靠地截止，只要接负压的限流电阻足够大（100K就够了），不用担心烧三极管。
简单的说吧：三极管基极与发射极间内阻较小，并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以说三极管是电流控制元件。
场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB控制iC。
场效应管和三极管都利用了PN结的原理，但是三极管是电流控制元件，基本原理是基于集电极电流和基极电流的比例关系；而场效应管是电压控制元件，其基本原理是通过电压改变导通沟道的宽度。
场效应管是由全名为金属-氧化物-场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）演变过来的。其特点是控制电压和电流之比相比于三极管更大，具有非常高的输入阻抗，输入电容小，且带宽宽。
三极管的基本原理就是将流过基极的电流按三极管的放大系数将电流放大流出来，当然这仅仅指的是放大原理，还有开关原理等等。。
1、饱和状态，b极电压0.7v，c极电压0v。
2、三极管截止后，C、E 间的截止电阻RCE=UCE/IC，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C、E 间视为开路，截止状态的NPN 型三极管等效电路。
3、三极管有两个PN结，两个PN结将基片分成三个区域：发射区、基区和集电区。每一区域引出一个电极，分别为发射极（E），基极（B）和集电极（C）。
4、三极管是一种半导体器件，通常由三个区域（P-N-P或N-P-N）组成。
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