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红色发光管每个降6~7V,白色、蓝色每个可降3~4V,电压降低幅度 = 发光二极管串联个数。
在发光二极管导通起始点,都会产生一段电压的压降,具体的压降值取决于不同制造厂商选用的掺杂材料和波长。两个LED之间的温度不同也会带来颜色上的不同,从而造成电压降的差异。压降产生原理:发光二极管可以看成恒压负载。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
发光二极管在电路板上串联能降压,但发光二极管内阻较大,降压后的电位如再接负载,其使用电流受到限制,可能不到10毫安,但其优点是每串联一个发光二极管能降压2点几V左右。
1、三新电力2005年成立于武汉,是一家集电力检测、高压试验调试及电力技术服务为一体的高端解决方案提供商,电力测试设备一站式平台,欢迎来厂考察。
2、直流高压发生器采用先进技术、工艺制造,应用新的PWM智能脉宽调制技术、脉冲串逻辑阵列调制,采用大功率IGBT器件,利用智能技术提智能率,频率高达40kHz,从而使输出高压稳定度更高,波纹系数更小。
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硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺:硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V,但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的,而是有一个向右倾斜的斜率(如图),即是说正向压降会随工作电流增大而增大。
硅二极管的正向导通电压降为0.5-0.7伏;锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。导通电压降受通过电流大小的影响。
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ~ 30mA范围内。通常正向压降值在5 ~ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。
一般说二极管承受的电压是指其能承受的最高反向电压。不同的二极管,能承受的最高反向电压不尽相同。例如,1N400的最高反向电压为50伏,1N4007的最高反向电压为1000伏。
红色发光二极管的工作电压最低,约6-7V;其次是普绿色、黄色,7-8V;白色8-9V;橙色8V-4V;蓝、白、翠绿电压范围:8V-5V。发光二极管的反向耐压只有借助兆欧表和万能表测量。
一般的发光二极管反向耐压是10-20V之间。
N4007二极管的正向压降是0V。1N4007 是封装形式为 DO-41 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。也用于桥式整流电路。
N4007二极体的正向压降是多少 看电流大小:uA数量级为0.4V;mA数量级为0.7V;安培数量级会大于1V。
N4007直插整流二极管基本参数:封装形式:DO-41。反向重复峰值电压:1000V。正向平均电流:0A。正向不重复浪涌电流:30A。正向峰值电压:1V。其次还有反向漏电流(Ta=25°C):5uA。
一般约0.6-0.7V,视电流大小、温度高低而不同。1N4007 是封装形式为 DO-41 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。也用于桥式整流电路。
关键词:电子元器件 硅二极管 电容 4007二极管 发光二极管 一般二极管 稳压二极管 二极管串联 二极管可以 二极管导通
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