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发射结正偏，基极电流为Ib=(2-Vbe)/50k=26μA，假设三极管处于放大状态，有集电极电流为Ic=βIb，Ic在集电极电阻上产生的压降是集电极电压为Vc=Ec-1k×(-βIb)=-4V。
e中，三极管基极＋3V，e极为0V，基极电压已大大超越（射极）导通所需的门坎电压而不通（通时射极电压应为硅3V，锗7V，所以判为BE开路。
三极管工作在放大状态，发射结正偏，集电结反偏，电压值处于中间的是b极，与b极相差0.7V（硅材料为0.7V，如果是锗材料是0.3V）的是e极，剩下的就是c极了。
Ib≈-10/510K=-0.02mA Ic=-60x0.02=-2mA Vce=-10-IcRc=-10+2x1=-88V VcVb处于反偏状态，是放大电路。
1、IN=5V，Ib3=(5-0.7)/2K=58mA，Ic最大电流为(12-0.7)V/1K=13mA，因此只要BG3的β大于3就是饱和状态。BG3饱和→BG1饱和→BG2集电极电位=12-0.3-(6/6)0.1=13V，BG2处于放大状态。
2、书中答案是C，真够让人迷惑。A管的饱和压降是0.2伏，B管是8伏，C管是3伏，0.2伏相当于发射极和集电极短路了，也就是饱和了。到此，哪个管饱和导通你自己判断吧。
3、工作在放大区的判断：其发射结(b、e极之间)为正偏，集电结(b、c极之间)为反偏。
4、）这是NPN管，集电极为正，基极比发射极高0.7，应该是放大状态。2）这是NPN管，集电极为0，但是发射极为-6，这等于是集电极为正，基极比发射极高0.7，应该是放大状态。
因为射极电阻减小了，所以负反馈取消，信号增益变大，进入饱和区，发生消顶失真。C断开后明显是射极电阻增大，反馈系数增大，基极电流减小 输出减小。
解析：硅（Si）的管压降0.7V，锗（Ge）的管压降0.3V。
三极管工作在放大状态，发射结正偏，集电结反偏，电压值处于中间的是b极，与b极相差0.7V（硅材料为0.7V，如果是锗材料是0.3V）的是e极，剩下的就是c极了。
有放大效果，或者说能够达到放大的效果。这是NPN型三极管共射极的放大电路。三极管放大电路的两个外部条件：VCC保证集电极反偏，VI保证发射极正偏。
RC=(VCC-UCEQ)/ICQ=4KΩ RB短路。管子VBQ=VCC 使管子两PN结均正偏，管子处于饱和状态，电路不能放大 RC开路，静态时，由于VCC无法向集电极提供偏置电压和集电极偏流，管子相当于处于截至状态，电路无法放大。
1、答案是A，发射区就可以看做一个二极管，箭头朝里的是锗管，朝外是硅管，锗管饱和导通的压降是0.5伏，硅管0.7伏。因此只有A管导通，B管电压反向，截止。C管0.3V，小于0.5，故没有导通。书中答案是C，真够让人迷惑。
2、电路如图13 所示，假设三极管的电流放大倍数为100，饱和导通压降忽略不计，当输入电压Vi 为5V时，请问输出电压Vo 为(0V)， 当输入电压Vi 为0V 时，输出电压Vo 为（5V）。
3、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
1、题中说“若Vce(sat)＜0.7V”的意思是：“三极管饱和的标准是Vce小于0.7V，请你判断此电路中三极管是否饱和（Vce是否小于0.7V)？”。而你理解成了Vce＜0.7V是已知条件。
2、vbb=3伏时，BE导通，Ib=（3-0.7）÷5=0.46mA，Ie=0.46×（50+1）=246mA ∴uo=12-1×2460；看来因BE饱和导通，uo输出电压很低，接近于零了。
3、第一步是元件不化简（就是三极管不张开，但是bec三口分清楚），包括电容的去处，直流电压电源的接地，把接口化好点，接下来就是三极管的展开，就是加入rbe和等效电流ic，在简单处理一下就好了。
4、三极管工作在饱和区时，其发射结与集电结均为正偏。
5、Icm=Vcc/Rc（忽略三极管饱和压降），如果输入的基极电流乘以放大倍数（β），大于Icm，三极管就饱和了，饱和时，VbVc，集电节正偏置。当发射结接近0偏置（Vb 0.7V），没有基极电流注入，Ic=0，三极管就是截止状态。
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